Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO₂: структурные, оптические, электронные свойства

Антонова И.В.¹, Скуратов В.А.², Jedrzejewski J.³, Balberg I.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Объединенный центр ядерных исследований, Дубна, Россия
³Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel

Поступила в редакцию: 3 августа 2009 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружено, что облучение слоев SiO₂, содержащих нанокристаллы кремния (нк-Si), тяжелыми ионами высоких энергий приводит к существенным структурным изменениям - формированию вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов вдоль треков ионов. Следствием подобного воздействия является значительное изменение электрических (проводимости, вольт-фарадных характеристик) и оптических свойств (фотолюминесценции) слоев с нанокристаллами.

K. Yano, T. Ishi, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, K. Seki. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 1628 (1994)
M. Dovrat, Y. Goshen, J. Jedrzejewski, I. Balberg, A. Sa'ar. Phys. Rev. B, 69,155 311 (2004)
A. Dutta, S. Oda, Y. Fu, M. Willander. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 4647 (2000)
J.J. Penninkhof, A. Polman, L.A. Sweatlock, S.A. Maier, H.A. Atwater, A.M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett., 83, 4137 (2003)
T. Van Dillen, M.J.A. de Dood, J.J. Penninkhof, A. Polman, S. Roorda, A.M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett., 84, 3591 (2004)
W.M. Arnoldbik, N. Tomoxeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2004)
I.V. Antonova, M.B. Gulyaev, E. Savir, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Phys. Rev. B, 77, 125 318 (2008)
I.V. Antonova, M.S. Kagan, A.G. Cherkov, V.A. Skuratov, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Nanotechnology, 20, 185 401 (2009)
I.V. Antonova, M.B. Gulyaev, A.G. Cherkov, D.V. Marin, V.A. Skuratov, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Nanotechnology, 20, 095 205 (2009)
I.V. Antonova, D.V. Marin, V.A. Volodin, V.A. Skuratov, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Anisotropic Heating, Sol. St. Phenomena, 156-158, 523 (2009)
I.V. Antonova, M.B. Gulyaev, V.A. Skuratov, D.V. Marin, E.V. Zaikina, Z.S. Yanovitskaya, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Sol. St. Phenomena, 131-133, 541 (2008)
P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instr. Meth. 239, 185 (2005)
L.W. Yu, K.J. Chen, L.C. Wu, M. Dai, W. Li, X.F. Huang. Phys. Rev. B, 71, 245 305 (2005)
L.C. Wu, M. Dai, X. Huang, W. Li, K. Chen. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 678 (2004)
D. Mathiot, J.P. Schunck, M. Perego, M. Fanciulli, P. Normand, C. Tsamis, D. Tsoukalas. J. Appl. Phys., 94, 2136 (2004)
D. Tsoukalas, C. Tsamis, P. Normand. J. Appl. Phys., 89, 7809 (2001)
R.M.C.De Almeida, S. Goncalves, J.R. Baumvol, F.C. Stediler. Phys. Rev. B, 61, 12 992 (2000)
О.В. Александров, А.И. Дусь. ФТП, 42, 1400 (2008)
В.А. Данько, И.З. Индутный, В.С. Лысенко, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, А.Н. Назаров, А.С. Ткаченко, П.Е. Шепелявый. ФТП, 39, 1139 (2005)
L. Khomenkova, N. Korsunska, T. Stara, Ye. Venger, C. Sada, E. Trave, Y. Goldstein, J. Jedrzejewski, E. Savir. Thin Sol. Film, 515, 6749 (2007)
T. Muller, K.-H. Heining, W. Muller. Appl. Phys. Lett., 81, 3049 (2002)
M. Toulemonde, Ch. Dufour, A. Methah, E. Paumier. Nucl. Instr. Meth. B, 166-167, 903 (2000)
T.Van Dillen, A. Polman, P.R. Onck, E. Van der Giessen. Phys. Rev. B, 71, 024 103 (2005)
T.Van Dillen, M.J.A. de Dood, J.J. Penninkhof, A. Polman, S. Roorda, A.M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett., 84, 3591 (2004)
B. Schmidt, A. Mucklich, L. Rontzsch, K.-H. Heining. Nucl. Instr. Meth. B, 257, 30 (2007)
Y.K. Mishna, F. Singh, K. Avashthi, J.C. Pivin, D. Malinovska, E. Pippel. Appl. Phys. Lett., 91, 063 103 (2007)
E. Dawi, G. Rizza, A. Vredenberg. Abstracts Int. Conf. on Ion Beam Modification of Materials, 361 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель