"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-p-SiGe, Au-n-SiGe
Атабаев И.Г.1, Матчанов Н.А.1, Хажиев М.У.1, Пак В.1, Салиев Т.М.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 4 августа 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Исследовано влияние различной химической обработки на свойства барьеров Шоттки Au-n-SiGe и Al-p-SiGe. Травление в различных режимах использовалось для формирования поверхности с различной плотностью поверхностных состояний (Dss). Показано, что высота барьеров исследованных структур коррелирует с плотностью поверхностных состояний Dss и содержанием германия в твердом растворе Si1-xGex.
  • O. Nur, M. Willander, R. Turan, M.R. Sardela, G.V. Hansson, jr. Appl. Phys. Lett., 68, 1084 (1996)
  • G.D. Scott, M. Xiao, H.W. Jiang, E.T. Croke, E. Yablonovitch. Appl. Phys. Lett., 90, 032110 (2007)
  • М.С. Саидов, Р.А. Муминов, И.Г. Атабаев и др. Атом. энергия, 4, 270 (1996)
  • Zs.J. Horvath, M. Adam, I. Szabo, M. Serenyi, Vo Van Tuyen. Appl. Surf. Sci., 190, 441 (2002)
  • A. Keffous, M. Zitouni, Y. Belkacem, H. Menari, W. Chergui. Appl. Surf. Sci., 199, 22 (2002)
  • H. Rahab, A. Kelous, H. Menari, W. Chergui, N. Boussaa, M. Siad. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 459, 200 (2001)
  • G. Ottaviani, K.N. Tu, J. W Mayer. Phys. Rev. B, 24, 3354 (1981)
  • В.Т. Малаева. Автореф. канд. дис. (Ташкент, 1985)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. (М., Мир, 1984) т. 1, с. 275. 285--287 и 395--397
  • H.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.