Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Некоторые особенности получения фототока в одно- и многобарьерных фотодиодных структурах

Каримов А.В.¹, Ёдгорова Д.М.¹

¹Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 14 мая 2009 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Многобарьерные фотодиодные структуры в отличие от однобарьерных фотодиодных структур обладают эффектом увеличения фотогенерированных носителей тока во всем диапазоне рабочих напряжений, в то время как в фотодиодах с лавинным и инжекционным процессами появление фототока носит пороговый характер и связан с изменением темновых носителей тока. Предлагаемый способ интерпретации эффекта внутреннего фотоэлектрического усиления позволит произвести оценку экспериментальных значений коэффициентов усиления по току или по напряжению и определить наличие фотоэлектрического усиления в фотодиодных структурах независимо от их происхождения.

I. Kim. Opt. Eng., 37, 3143 (1998)
E.M. Dianov et al. Optics Lett., 15, 314 (1990)
Л.В. Асрян, Р.С. Сурис. ФТП, 38, 3 (2004)
A.V. Karimov, D.M. Yodgorova, E.N. Yakubov. Semiconductor Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 4, 378 (2004)
C.C. Hodge et al. Semicond. Sci. Technol., 5, 319 (1990)
M.D. Petroff, M.G. Stapelbroek. Blocked Impurity Band Detectors. U.S. Patent N 4, 568, 960; filed Oct. 1980; granted 4 Feb. 1986
A.V. Karimov, D.M. Yodgorova. Radioelectron. Commun. Systems, 2, 55 (2006)
A.V. Karimov, D.A. Karimova. Proc. Conf. on Materials Science in Semiconductor Processing (February--June, 2003) v. 6, N 1--3, p. 137
А.В. Каримов, Д.М. Едгорова. Электроника, 11, 5 (2005)
А.В. Каримов, Д.М. Едгорова, Ф.А. Гиясова, Т.М. Азимов, У.М. Бузруков, А.А. Якубов. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, 4, 23 (2007)
K. Nishida, K. Taduchi, Y. Matsumova. Appl. Phys. Lett., 35, 251 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель