"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
Семенов А.Н.1, Терентьев Я.В.1, Мельцер Б.Я.1, Соловьев В.А.1, Попова Т.В.1, Нащекин А.В.1, Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Усикова А.А.1, Яковлев Ю.П.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микросокпии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы GaxIn1-xAsySb1-y с x<0.8, выращеные при температуре 500oC, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов GaxIn1-xAsySb1-y (x<0.75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.
  • A.A. Toropov, O.G. Lyublinskaya, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov. In: III-V Semiconductor Heterostructures: Physics and Devices, ed. by W.Z. Cai, Researsch Signpost (Keraia, 2003) p. 169
  • И.А. Андреев, Н.Д. Ильинская, Е.В. Куницина, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 974 (2003)
  • А.П. Астахов, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ПЖТФ, 33, 8 (2007)
  • И.А. Андреев, Е.В. Куницина, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 249 (1999)
  • В.И. Васильев, А.Г. Дерягин, В.И. Кучинский, В.М. Смирнов, Г.С. Соколовский, Д.Н. Третьяков, Н.Н. Фалеев. ПЖТФ, 24, 58 (1998)
  • G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 58, 194 (1982)
  • V.S. Sorokin, S.V. Sorokin, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 216, 97 (2000)
  • K. Nakajima, K. Osamura, K. Yasuda, Y. Murakami. J. Cryst. Growth, 41, 87 (1977)
  • А.Н. Баранов, А.Н. Именков, О.П. Капранчик, А.М. Литвак, Н.А. Чарыкин, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 16, 19 (1990)
  • H.R. Blank, S. Mathis, E. Hall, S. Bhargava, A. Behres, M. Heuken, H. Kroemer. V. Narayamurti. J. Cryst. Growth, 187, 18 (1998)
  • H. Miyoshi. Y. Horikoshi. J. Cryst. Growth, 227- 228, 571 (2001)
  • C. Lin, Y.L. Zheng, A.Z. Li. J. Cryst. Growth, 227- 228, 605 (2001)
  • A.K. Srivastova, J.C. De Winter, C. Caneau, M.A. Pollack, J.L. Zyskind. Appl. Phys. Lett., 48, 903 (1986)
  • B.L. Carter, E. Shaw, J.T. Olesberg, W.K. Chan, T.C. Hasenberg, M.E. Flatte. Electron. Lett., 36, 1301 (2000)
  • O.V. Sulima, K. Swaminathan, T.F. Refaat, N.N. Faleev, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov, M.N. Abedin, U.N. Singh, D. Prather. Electron. Lett., 42, 355 (2006)
  • L. Shterengas, G.L. Belenky, J.G. Kim, R.U. Martinelly. Semicond. Sci. Technol., 19, 655 (2004)
  • А.Н. Семенов, В.С. Сорокин, В.А. Соловьев, Б.Я. Мельцер, С.В. Иванов. ФТП, 38, 278 (2004)
  • J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  • R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
  • I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, Ya.V. Terent'ev, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, Yu.P. Yakovlev. 8th Int. Conf. Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD) 2007, Bad Ischl, Austria, p. 94
  • A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, Ya.V. Terent'ev, L.G. Prokopova, S.V. Ivanov, A.N. Semenov. J. Cryst. Growth, 278, 203 (2005).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.