"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности световой вольт-амперной характеристики двусторонне чувствительных солнечных элементов на основе тонких базовых слоев CdTe
Мериуц А.В.1, Хрипунов Г.С.1, Шелест Т.Н.1, Дейнеко Н.В.1
1Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт," Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 22 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Показано, что особенности световых вольт-амперных характеристик двусторонне чувствительных солнечных элементов glass/SnO2 : F/CdS/CdTe/Cu/ITO с тонким базовым слоем связаны с возникновением фотовольтаического эффекта на тыльном контакте. Предложена эквивалентная схема исследуемой приборной структуры, которая учитывает наличие двух освещенных диодов --- фронтального диода (основного сепарирующего барьера) и диода на тыльном контакте.
  • Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38, 937 (2004)
  • D.L. Batzner. Perfomance and stability of CdTe/CdS solar cells for terrestrial and space applications: PhD Thesis ETH 15214.--Zurich (2003)
  • M. Houng, F. Jeng. Sol. St. Commun., 66 (1), 1 (1988)
  • C.S. Ferekides, V. Viswanathathan, D.L. Morel. Proc. 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Anaheim, USA, 1997)
  • N. Romeo, A. Bosio, R. Tedeschi. Int. J. Solar Energy, 12, 183 (1992)
  • A. Niemegeers, M. Burgelman. J. Appl. Phys., 81, 2881 (1997)
  • Y. Roussillon, V.G. Karpov, Diana Shvydka, J. Drayton, A.D. Compaan. IEEE, 441 (2005)
  • G. Khrypunov, A. Romeo, F. Kurtzesau, D.L. Batzner, H. Zogg, A.N. Tiwari. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 664 (2006)
  • A. Romeo, G. Khrypunov, S. Galassini, H. Zogg, A.N. Tiwari. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 1388 (2007)
  • D.L. Batzner, A. Romeo, H. Zogg, R. Wendt, A.N. Tiwari. Thin Sol. Films, 387, 151 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.