Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x
1Дагестанский государственный технический университет, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 27 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.
Приведены результаты теоретической оценки таких важных параметров процесса магнетронного распыления, как протяженность зоны термализации атомов и расстояние от мишени до условного анода. Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней SiC-AlN на подложках SiC и Al2O3 получены тонкие пленки твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x. Методами рентгенографии и электронной микроскопии проведены исследования структуры, состава пленок. Установлены факторы, определяющие состав и структуру пленок, а также условия формирования монокристаллических пленок (SiC)1-x(AlN)x на подложках SiC.
- А. Нурмагомедов, Н.Д. Сорокин, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 22 (10), (1986)
- Г.К. Сафаралиев, М.К. Курбанов, Н.В. Офицерова, Ю.М. Таиров. Изв. РАН. Неорг. матер., N 6. (1995)
- В.Л. Ласка, А.П. Митрофанов, С.Ф. Карманенко. Электрон. техн., сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, вып. 1 (106), 101 (1985)
- Я.И. Таруи. Основы технологии СБИС (М., Радио и связь, 1985)
- А.И. Ефимов, Л.П. Белорукова, И.В. Василькова, В.П. Чечев. Свойства неорганических соединений. Справочник (Л., Химия, 1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
