Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, Toulouse, France
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, Toulouse, France
Поступила в редакцию: 17 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.
Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400-470 нм.
- J. Wu. J. Appl. Phys., 106, 011 101 (2009)
- Ф. Шуберт. Светодиоды, пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. (М., Физматлит, 2008).
- Sh. Li, Q. Wu, G. Fan, T. Zhou, Y. Zhang, Y. Yian, M.He, J. Cao, J. Su. Semicond. Sci. Technol., 24, 085 016 (2009)
- C.H. Liu, Y.K. Su, L.W. Wu, S.J. Chang, R.W. Chuang. Semicond. Sci. Technol., 18, 545 (2003)
- W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Lobanova, A.S. Segal. Extended abstracts 13th Europ. Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Ulm, Germany, 7-10 June 2009
- А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44, 96 (2010)
- Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
- Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W. . Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh. . Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 80, 2099 (2002)
- M.A. Reshchikov, H. Morkoc. Physica B, 376- 377, 428 (2006)
- L. Macht, J.L. Weyher, A. Grzegorczyk, P.K. Larsen. Phys. Rev. B, 71, 073 309 (2005).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
