Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии

Хлудков С.С.¹, Прудаев И.А.¹, Новиков В.А.², Толбанов О.П.¹, Ивонин И.В.²

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 30 декабря 2009 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью атомно-силового микроскопа проведено исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора арсенида галлия, легированного железом (GaAs : Fe). Образцы GaAs : Fe получали в процессе высокотемпературной диффузии Fe в GaAs и последующего отжига при температуре на 200^oC ниже температуры легирования. Измерения проведены на поперечных сколах по плоскости спайности пластин GaAs : Fe. Показано, что в процессе отжига GaAs : Fe происходит распад пересыщенного твердого раствора с образованием частиц второй фазы размером от ~50 нм до ~1 мкм. Частицы второй фазы обладают ферромагнитными свойствами при комнатной температуре.

С.С. Хлудков. Вест. Томск. гос. ун-та. Сер. Физика, 285, 84 (2005)
I. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76, 323 (2004)
Б.П. Попов, В.К. Соболевский, Е.Г. Апушкинский, В.П. Савельев. ФТП, 39 (5), 521 (2005)
S. Haneda, H. Munekata, Y. Takatani. J. Appl. Phys., 87, 6445 (2000)
Y.L. Soo, G. Kioseoglou, S. Huang, S. Kim, Y.H. Kao, Y. Takatani, S. Haneda, H. Munekata. Phys. Rev. B, 63, 195 209 (2001)
T. Shinshi, F. Kato, A. Shimokohbe. Appl. Phys. Lett., 83 (16), 3425 (2003)
И.А. Прудаев, С.С. Хлудков. Изв. вузов. Физика, 51 (11), 39 (2008)
Б.И. Болтакс, Г.С. Куликов, И.Н. Никулица, Ф.С. Шишияну. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 11 (2), 348 (1975)
В.И. Фистуль. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1977)
М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (М., Металлургия, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель