"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода
Ремнев М.А.1, Катеев И.Ю.1, Елесин В.Ф.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

При помощи численного решения уравнения Шрёдингера получены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями (спейсерами). Построены зависимости пикового тока резонансно-туннельного диода от ширины спейсера эмиттера. Показано, что пиковый ток зависит периодическим образом от ширины спейсера эмиттера. Построенные диаграммы плотности электронов показали, что увеличение пикового тока связано с резонансным уровнем в области спейсера эмиттера.
  • Ж.И. Алфёров, А.Л. Асеев, С.В. Гапонов и др. Нано- и микросистемная техника, (8), 3 (2003)
  • Ж.И. Алфёров. ФТП, 32 (1), 3 (1998)
  • J.P. Sun, G.I. Haddad, P. Mazumder, S. Member, J.N. Schulman. Proc. IEEE, 86 (4), 641 (1998)
  • M. Asada, S. Suzuki, N. Kishimoto. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 4375 (2008)
  • M. Tonouchi. Nature Photonics, 1, 97 (2007)
  • H. Kim and K. Seo. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (5), 3340 (2008)
  • J.P.A. Van Der Wagt. Proc. IEEE, 87 (4), 571 (1999)
  • E.R. Brown, T.C.L. Sollner, C.D. Parker, W.D. Goodhue, C.L. Chen. Appl. Phys. Lett., 55 (17), 1777 (1989)
  • S. Muto, T. Inata, H. Ohnishi, N. Yakoyama, S. Hiyamizu. Jpn. J. Appl. Phys., 25 (7), L577 (1986)
  • А.А. Белоушкин, Ю.А. Ефимов, А.С. Игнатьев, А.Л. Карузский, В.Н. Мурзин, А.В. Пересторонин, Г.К. Расулова, А.М. Цховребов, Е.Г. Чижевский. ФТП, 32 (1), 124 (1998)
  • N. Shimizu, T. Waho, T. Ishibashi. Jpn. J. Appl. Phys., 36 (3B), L330 (1997)
  • H. Ohnishi, T. Inata, S. Muto, N. Naoki, A. Shibatomi. Appl. Phys. Lett., 49 (19), 1248 (1986)
  • I. Mehdi, R. Mains, G. Haddad. Appl. Phys. Lett., 57 (9), 899 (1990)
  • T. Wei, S. Stapleton. J. Appl. Phys., 76 (2), 1287 (1994)
  • Zang Yang, Han Chun-Lin, Gao Jian-Feng, Zhu Zhan-Ping, Wang Bao-Qiang, Zeng Yi-Ping. Chinese Physics B, 17 (4), 1472 (2008)
  • T. Daniels-Race, S. Yu. Sol. St. Electron., 38 (7), 1347 (1995)
  • H.M. Yoo, S.M. Goodnick, J.R. Arthur. Appl. Phys. Lett., 56 (1), 84 (1990)
  • В.Ф. Елесин. ЖЭТФ, 119 (4), 816 (2001)
  • O. Pinaud. J. Appl. Phys., 92 (4), 1987 (2002)
  • Gyungok Kim, Kwang Man Koh, Chong Hoon Kim. J. Korean Phys. Soc., 39, S279 (2001)
  • Yashiyuki Suda, Hajime Koyama. Appl. Phys. Lett., 79 (14), 2273 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.