Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов

Минтаиров С.А.¹, Андреев В.М.¹, Емельянов В.М.¹, Калюжный Н.А.¹, Тимошина Н.К.¹, Шварц М.З.¹, Лантратов В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 декабря 2009 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлена методика определения диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях A^IIIB^V солнечных элементов посредством аппроксимации их спектральных характеристик. Исследованы однопереходные GaAs, Ge и многопереходные GaAs/Ge, GaInP/GaAs и GaInP/GaInAs/Ge солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлены зависимости диффузионных длин неосновных носителей заряда от уровня легирования для p-Ge и n-GaAs. Показано, что параметры твердотельной диффузии атомов фосфора в подложку p-Ge из нуклеационного n-GaInP слоя не зависят от его толщины в пределах 35-300 нм. Обнаружено уменьшение диффузионных длин в слоях Ga(In)As субэлементов многопереходных структур по сравнению с однопереходными.

T. Markvart, L. Castaner. Solar Cells: Materials, Nanufacture and Operation (Elsevier Sciecne Publishing Company, 2005)
W. Guter, J. Schone, S.P. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Weiser, E. Oliva, A.W. Bett, F. Dimroth. Appl. Phys. Lett., 94, 223 504 (2009)
M. Meusel et al. 20th EPSEC (Barselona, Spain, 2005) p. 20
L.M. Fraas, J.E. Avery, H.X. Huang, E. Shifman, K. Edmondson, R.R. King. 31th PVSC (Florida, USA, 2005) p. 751
M.Z. Shvarts, P.Y. Gazaryan, N.A. Kaluzhniy, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, S.V. Sorokina, N.K. Timoshina. 21st EPSEC (Dresden, Germany, 2006) p. 133
A.S. Gudovskikh, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Thin Sol. Films, 516, 6739 (2008)
M. Born, E. Wolf. Principles of Optics, 7th edn (UK, Cambridge University Press, 2002)
А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые преобразователи (М., Сов. радио, 1971)
В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, В.М. Лантратов. НТВ СПбГУ, 2, 17 (2009)
V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina. 23th EPSEC (Valencia, Spain, 2008) p. 375
F. Abeles. Annales de Physique, 45, 596 (1950)
В.Б. Егоров. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1986)
Yu.A. Goldbery. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (London, World Scientific, 1996) vol. 1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель