"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование гетероперехода p-Ge-n-GaAs при всестороннем давлении
Гаджиалиев М.М.1, Пирмагомедов З.Ш.1, Эфендиева Т.Н.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Экспериментально исследована вольт-амперная характеристика гетероперехода p-Ge-n-GaAs при всестороннем давлении до 8 ГПа и температуре 300 K. С использованием результатов эксперимента вычислен барический коэффициент края валентной зоны германия.
  • W. Shockley, J. Bardeen. Phys. Rev., 77, 407 (1950)
  • М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46, 1766 (2004)
  • Y. Kanda. Phys. Lett., 14, 289 (1965)
  • R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.