"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца
Садовников С.И.1, Кожевникова Н.С.1, Ремпель А.А.1
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 10 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Методом рентгеновской дифракции изучена кристаллическая структура пленок сульфида свинца (PbS), полученных химическим осаждением на стеклянную подложку. Толщина синтезированных пленок ~120 нм, размер областей когерентного рассеяния ~(70-80) нм, величина микронапряжения ~0.20%. Установлено, что синтезированные пленки PbS и те же пленки, отожженные в интервале температур 293--423 K, имеют кубическую (пр. гр. Fm3m) кристаллическую структуру D03, отличающуюся от структуры B1, характерной для крупнозернистого PbS. В кубической структуре нанопленок PbS реализуется скрытое нестехиометрическое распределение атомов S и вакансий по октаэдрическим позициям 4( b) и тетраэдрическим позициям 8( c). В диапазоне длин волн 200--3270 нм измерено оптическое пропускание нанокристаллических пленок PbS. Наиболее заметное изменение пропускания наблюдается в области длин волн от 700--800 до 1600--2000 нм (энергии фотонов от ~1.8 до ~0.7 эВ). Установлено, что ширина запрещенной зоны составляет 0.83--0.85 эВ, т. е. больше ширины зоны монокристаллического PbS, равной 0.41 эВ.
  • W.W. Scanlon. J. Phys. Chem. Sol., 8, 423 (1959)
  • R.B. Schoolar, J.R. Dixon. Phys. Rev. A, 137 (2), 667 (1965).
  • J.N. Zemmel, J.D. Jensen, R.B. Schoolar. Phys. Rev. A, 140 (1), 330 (1965)
  • S.B. Qadri, A. Singh, M. Yousuf. Thin Sol. Films, 431-- 432, 506 (2003)
  • С.И. Садовников, А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Письма ЖЭТФ, 89 (5), 279 (2009)
  • С.И. Садовников, А.А. Ремпель. Докл. АН, 428 (1), 48 (2009)
  • С.И. Садовников, Н.С. Кожевникова, А.А. Ремпель. Физика и химия стекла, 35 (1), 74 (2009)
  • R.W. Morton, D.E. Simon, J.J. Gislason, S. Taylor. Adv. X-ray Anal., 46 (1), 80 (2003)
  • X'Pert Plus Version 1.0. Program for Crystallography and Rietveld Analysis. Philips Analytical B.V. Koninklijke Philips Electronic N.V.
  • Д.А. Давыдов, А.И. Гусев. Письма ЖЭТФ, 91 (6), 293 (2010)
  • Д.А. Давыдов, А.И. Гусев. ЖЭТФ, 135 (2), 301 (2009)
  • W.H. Hall, G.K. Williamson. Proc. Phys. Soc. (London) B, 64 (383), 937 (1951)
  • G.K. Williamson, W.H. Hall. Acta Metal., 1 (1), 22 (1953)
  • J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors, 2nd edn (N.Y., Dover Publ., 1975)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников, 2-е изд. (М., Наука, 1990)
  • C.F. Klingshirn. Semiconductor Optics (N.Y., Springer, 2005)
  • Y. Wang, A. Suna, W. Mahier, R. Kasowski. J. Chem. Phys., 87 (12), 7315 (1987)
  • A. Sashchiuk, E. Lifshitz, R. Reisfeld, T. Saraidarov, M. Zelner, A. Willenz. J. Sol-Gel Sci. Technol., 24 (1), 31 (2002)
  • R.J. Elliot. Phys. Rev., 108 (6), 1384 (1957)
  • M.R. Holter, S. Nudelman, G.H. Suits, W.L. Wolfe, G.J. Zissis. Fundamentals of Infrared Technology (N.Y. MacMillan, 1962)
  • D.M. Mittleman, R.W. Schoenlein, J.J. Shiang, V.L. Colvin, A.P. Alivisatos, C.V. Shank. Phys. Rev. B, 49 (20), 14 435 (1994)
  • Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16 (7), 1209 (1982)
  • L.E. Brus. J. Chem. Phys., 80 (9), 4403 (1984)
  • R. Rosetti, R. Hull, J.M. Gibson, L.E. Brus. J. Chem. Phys., 83 (3), 1406 (1985)
  • L. Brus. J. Phys. Chem., 90 (12), 2555 (1986)
  • Y. Kayanuma. Phys. Rev. B, 38 (14), 9797 (1988)
  • А.И. Екимов, А.А. Онущенко. ФТП, 16 (7), 1215 (1982)
  • А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии, 3-е изд. (М., Физматлит, 2009) с. 166
  • S. Jana, R. Thapa, R. Maity, K.K. Chattopadhyay. Physica E, 40 (10), 3121 (2008)
  • K.F. Cuff, M.R. Ellet, C.D. Kuglin, L.R. Williams. Proc 7th Int. Conf. Phys. Semiconductors (Dunod, Paris, 1964) p. 677
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.