"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке
Александров П.А.1, Демаков К.Д.1, Шемардов С.Г.1, Кузнецов Ю.Ю.1
1Российский научный центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

Использование процесса твердофазной рекристаллизации в значительной степени уменьшает количество дефектов в кремниевом слое. Аморфный слой создавался имплантацией ионов кремния. Кристаллическое качество КНС-структур оценивалось методом высокоразрешающей двухкристальной рентгеновской дифракции. Высококачественные кремниевые слои с толщиной d=1000-2500 Angstrem получались после имплантации ионов кремния (с энергией 150 кэВ) и последующего высокотемпературного отжига.
  • K. Tanno, M. Kanamori. J. Cryst. Growth, 58, 73 (1982)
  • H.Y. Cho, C.J. Park. Physica E, 16, 489 (2003)
  • П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 9, 30 (2009)
  • S.S. Lau, J.W. Mayer, T.W. Sigmon. USA Patent, No 4 177 084 (1979)
  • I. Golecki. USA Patent No 4 588 447 (1986)
  • R.E. Reedy, T.W. Sigmon, L.A. Christel. Appl. Phys. Lett., 42(8), 707 (1983)
  • T. Inoue, T. Yoshii. Nucl. Instrum. Meth., 182/183, 683 (1981)
  • T. Nakamura, Y. Nagatomo. Oki Techn. Rev., 74(4), 66 (2004)
  • П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 3, 54 (2008)
  • П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 43(5), 627 (2009)
  • M.L. Burgener, R.E. Reedy. USA Patent, No 5 416 043 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.