Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О максимальной толщине области пространственного заряда обратносмещенных p⁺-n-переходов с положительной фаской

Кюрегян А.С.¹

¹Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия All-Russia Electrical Engineering Institute, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 24 марта 2010 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено численное моделирование двумерных распределений потенциала и напряженности электрического поля в краевых областях резко асимметричных обратносмещенных p⁺-n-переходов с положительной фаской. Показано, что максимальная толщина области пространственного заряда W_nM немонотонно зависит от угла theta между поверхностью фаски и плоскостью перехода: функция W_nM(theta) достигает максимума при значениях theta, которые уменьшаются от 60^o до 35^o при увеличении параметра Q_s/varepsilon_svarepsilon₀E_vM от 0 до 0.02 (здесь Q_s - плотность поверхностного заряда, varepsilon_svarepsilon₀ - абсолютная диэлектрическая проницаемость полупроводника, E_vM - максимальная напряженность поля в области пространственного заряда p⁺-n-перехода вдали от фаски). Полученные результаты могут быть полезными при проектировании высоковольтных тиристоров на основе Si, SiC и других материалов.

R.L. Davies, F.E. Gentry. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-11, 313 (1964)
M.S. Adler, V.A.K. Temple. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-25, 1266 (1978)
K.-P. Brieger, W. Gerlach, J. Pelka. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 733 (1984)
J. Middleton, J.B. Waddell. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-34, 400 (1987)
X.B. Chen, J.K.O. Sin, M. Zhang, B. Wang. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-44, 869 (1997)
А. Блихер. Физика тиристоров (Л., Энергоиздат, 1981) [A. Blicher. Thyristor physics. N. Y., Springer-Verlag, 1981.]
В. Герлах Тиристоры (М., Энергоиздат, 1985) [W. Gerlach. Thyristoren. Heidelberg, Springer-Verlag, 1976]
А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 23, 1819 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель