"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Солтанович О.А.1, Шмидт Н.М.2, Якимов Е.Б.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Проведены исследования частотной зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне частот 60 Гц--5 МГц и интервале температур 77--300 K. Показано, что при всех температурах измеренные вольт-фарадные характеристики зависят от частоты. При этом уменьшение частоты тестового сигнала приводит к таким же изменениям в вольт-фарадных характеристиках, что и повышение температуры измерений. Обнаружено, что для каждой температуры в исследованном диапазоне частот достигается предельная низкочастотная вольт-фарадная характеристика. Показано, что низкочастотные вольт-фарадные характеристики, измеренные при разных температурах, с хорошей точностью совпадают. Процесс достижения равновесия зарядов в активной области, вероятнее всего, определяется туннелированием носителей через барьеры.
  • F. Manyakhin, A. Kovalev, A.E. Yunovich. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 53 (1998)
  • A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, J. Kim, B. Luo, R. Mehandru, F. Ren, K.P. Lee, S.J. Pearton, A.V. Osinsky, P.E. Norris. J. Appl. Phys., 91, 5203 (2002)
  • F. Rossi, M. Pavesi, M. Meneghini, M. Manfredi, G. Meneghesso, A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, U. Strass, U. Zehnder, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 99, 053 104 (2006)
  • О.А. Солтанович, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. Тез. докл. 6-й Всерос. конф. " Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., 2008) с. 204
  • L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 45, 1839 (1974)
  • P. Blood, J.W. Orton. The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States (London--San Diego--N.Y., Academic Press, 1992) chap. 6
  • D. Stievenard, D. Vuillaume. J. Appl. Phys., 60, 973 (1986)
  • A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Superlat. Microstruct., 45, 301 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.