Приведена оценка тепловых ограничений в импульсном режиме работы двухдрейфового лавинно-пролетного диода 8-миллиметрового диапазона длин волн с мощностью генерации до 30-35 Вт. Показано, что при длительности рабочего импульса 300 нс и амплитуде тока питания 11.3-15 A перегрев p-n-перехода относительно окружающей среды составляет 270-430oC. Определена граничная температура перегрева перехода, равная 350oC, выше которой лавинно-пролетные диоды интенсивно деградируют. Приведены результаты рентгенофазового анализа и профили распределения компонентов в омических контактах Au-Pt-Ti-Pd-Si, подтверждающие тепловые ограничения в импульсном режиме работы лавинно-пролетного диода.
А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1968) гл. 9 с. 374; гл. 7, с. 335
А.К. Шухостанов. Лавинно-пролетные диоды. Физика, технология, применение (М., Радио и связь, 1997) гл. 7, с. 157
Л.В. Касаткин, В.П. Рукин. Изв. вузов. Радиоэлектроника, 48 (6), 3 (2005)
Л.В. Касаткин, В.Е. Чайка. Полупроводниковые устройства диапазона миллиметровых волн (Севастополь, Вебер, 2006) гл. 1, с. 32; гл. 2, с. 132
G. Haddad, R. Trew. IEEE Trans. MTT-S, 50 (3), 760 (2002)
H. Eisele, G. Haddad. IEEE Trans. МТТ, 46 (6), 739 (1998)
В.Ф. Олейник, В.Л. Булгач, В.В. Валяев, А.В. Зоренко, Д.В. Миронов, В.Е. Чайка. Электронные приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на основе нанотехнологии (Киев, ГНИКТ, 2004)
В.В. Басанец, Н.С. Болтовец, А.В. Зоренко, А.В. Гуцул, Н.В. Колесник, С.И. Геращенко. Техника и приборы СВЧ, N 1, 27 (2009)
Н.С. Давыдова, Ю.З. Данюшевский. Диодные генераторы и усилители СВЧ (М., Радио и связь, 1986) гл. 5, с. 143
А.С. Тагер. Электрон. техн. Сер. 1. Электроника СВЧ, 5, 3 (1981)
G. Gibbons. Sol. St. Electron., 13 (6), 799 (1970)
Г. Карлслоу, Д. Егер. Теплопроводность твердых тел (М., ИЛ, 1964)
Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991) с. 341
http://www.quinstar.com
М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. 1, с. 253
http://www.microsemi.com
Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС (М., Мир, 1989) гл. 2, с. 59. [Пер. с англ.: S.P. Murarka. Silicides for VLSI Application (Academic Press, N.Y.--London, 1983)]
А.Е. Гершинский, А.В. Ржанов, Е.И. Черепов. Микроэлектроника, 11 (2), 86 (1982)