"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Разогрев носителей заряда и выпрямление тока на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле
Дадамирзаев М.Г.1,2
1Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 20 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Эдс горячих носителей заряда Uoc, генерируемая на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, несмотря на то что температура электронов гораздо выше, чем дырок, определяется горячими дырками. Установлено, что напряжение холостого хода определяется температурой тех носителей, которые определяют полный ток через p-n-переход.
  • А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицский, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  • С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, А.Г. Гулямов. Узб. физ. журн., 2, 48 (2009)
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  • С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, А.Г. Гулямов. ФТП, 43, 53 (2009)
  • П.И. Бранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.