Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si(310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота.
M. Reddy, J.M. Peterson, D.D. Lofgreen, J.A. Franklin, T. Vang, E.P.G. Smith, J.G.A. Wehner, I. Kasai, J.W. Bangs, S.M. Jonson. J. Electron. Mater., 37 (9), 1274 (2008)
S. Sivananthan, X. Chu, J. Reno, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 60 (4), 1359 (1986)
R.J. Koestner, H.F. Schaake, J. Vac. Sci. Technol. A, 6 (4), 2834 (1988)
Y.S. Ryu, B.S. Song, T.W. Kang, T.W. Kim. J. Mater. Sci., 39, 1147 (2004)
M. Carmody, J.G. Pasko, D. Edwall, E. Piquette, M. Kangas, S. Freeman, J. Arias, R. Jacobs, W. Mason, A. Stoltz, Y. Chen, N.K. Dhar. J. Electron. Mater., 37 (9), 1184 (2008)
М.В. Якушев, А.А. Бабенко, Ю.Г. Сидоров. Неорг. матер., 45 (1), 15 (2009)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67 (1), 39 (2000)
W. Kern, D.A. Puotinen. RCA Rev., 31, 187 (1970)
D.B. Fenner, D.K. Biegelsen, R.D. Bringans. J. Appl. Phys., 66, 419 (1989)
P. Mackett. In: Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds, ed. by P. Capper (London, EMIS Data Review Series, 1994) v. 10. p. 188
I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.D. Kuzmin. J. Cryst. Growth, 117 ( 1-- 4), 238 (1992)
T. Aoki, Y. Chang, G. Badano, J. Zhao, C. Grein, S. Sivananthan, D.J. Smith. J. Electron. Mater., 32, 703 (2003)
I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev. J. Crystal Growth, 274, 339 (2005)
И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Латышев. Письма ЖЭТФ, 82 (5-6), 326 (2005)
М.В. Якушев, Д.В. Брунев, К.Н. Романюк, А.Е. Долбак, А.С. Дерябин, Л.В. Миронова, Ю.Г. Сидоров. Поверхность, 2, 41 (2008)
A.D. van Rheenen, H. Syversen, R. Haakenaasen, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen, T. Lorentzen. Phys. Scripta T, 126, 101 (2006)
А. Рогальский. Инфракрасные детекторы (Новосибирск, Наука, 2003) ч. 3, гл. 8, с. 195
R. Haakenaasen, T. Moen, T. Colin, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen. J. Appl. Phys., 91, 427 (2002)
M.F. Vilela, A.A. Buell, M.D. Newton, G.M. Venzor, A.C. Childs, J.M. Peterson, J.J. Franklin, R.E. Bornfreund, W.A. Radford, S.M. Johnson. J. Electron. Mater., 34 (6), 898 (2005)