Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов

Бер Б.Я.¹, Богданова Е.В.¹, Грешнов А.А.¹, Закгейм А.Л.¹, Казанцев Д.Ю.¹, Карташова А.П.¹, Павлюченко А.С.¹, Черняков А.Е.¹, Шабунина Е.И.¹, Шмидт Н.М.¹, Якимов Е.Б.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 7 сентября 2010 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью eta до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока j определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при j~50 А/см²) наблюдалось при сильном легировании n⁺-области (до 10¹⁹ см^-3) и при возникновении компенсированных слоев в активной или p⁺-области. При j>50 А/см² доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый eta(j) propto j^-b, где 0.2<b<0.3.

N.F. Gardner, G.O. Muller, Y.C. Shen, G. Chen, S. Watanabe, W. Gotz, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91, 243 506 (2007)
F. Degave, P. Ruterana, G. Nouet, C.C. Kim. Inst. Phys. Conf. Ser., 169, 281 (2001)
R. Chierchia, S. Figge, H. Heinke, D. Hommel. Phys. Status Solidi B, 228, 403 (2001)
N.M. Shmidt, G. Aliev, A.N. Besyul'kin, J. Davies, M.S. Dunaevsky, A.G. Kolmakov, A.V. Loskutov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, D. Wolverson, E.E. Zavarin. Phys. Status Solidi C, 0, 558 (2002)
A.V. Ankudinov, A.I. Besyulkin, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, V.V. Ratnikov, A.A. Sitnikova, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva, N.M. Shmidt. Physica B, 340--342, 462 (2003)
Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001) с. 124
N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, A.G. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, E.E. Zavarin. Nanotechnology, 12, 471 (2001)
A.I. Besyulkin, A.P. Kartashova, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, N.M. Shmidt, M.M. Mezdrogina, A.V. Sakharov, A.A. Sitnikova, A.L. Zakgeim, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva, N.M. Shmidt. Phys. Status Solidi C, 2, 837 (2005)
N.M. Shmidt, A.G. Kolmakov, M.S. Dunaevsky, V.V. Emtsev, A.S. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Inst. Phys. Conf., 169, 341 (2001)
S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 69, 990 (1996)
In-Hwan Lee, J.J. Lee, P. Kung, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 74, 102 (1999)
С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37, 1131 (2003)
Ф.Е. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008) с. 620
Н.М. Шмидт, М.Г. Агапов, Е.В. Богданова, А.А. Грешнов, А.Л. Закгейм, Д.А. Лавринович, В.В. Ратников, А.Е. Черняков, Е.Б. Якимов. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2008) с. 113
A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Superlat. Microstruct., 45, 301 (2009)
Y.C. Shen, G.O. Mueller, S. Watanabe, N.F. Gardner, A. Munkholm, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91, 141 101 (2007)
В.В. Волков, А.Л. Закгейм. Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 3, 106 (1999)
K. Kazlauskas, G. Tamulaitis, A. Zukauskas, M.A. Khan, J.W. Yang, J. Zhang, G. Simin, M.S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 83, 3722 (2003)
V. Potin, A. Rousenauer, D. Gerthsen, B. Kuhn, F. Scholz. Phys. Status Solidi B, 234, 947 (2002)
F. Bertram, S. Srinivasan, L. Geng, F.A. Ponce. Appl. Phys. Lett., 80, 3524 (2002)
С.Д. Барановский, Б.И. Шкловский. ФТП, 23, 146 (1989)
А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель