"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поверхностно-барьерные структуры на монокристаллах четырехкомпонентных твердых растворов CdMgMnTe: создание и свойства
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Теруков Е.И.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы четверных твердых растворов в системе Cd-Mg-Mn-Te по псевдобинарным разрезам Cd0.75-xMgxMn0.25Te, Cd0.75-xMg0.25MnxTe и Cd1-2xMgxMnxTe. На полученных в пределах каждого из указаных разрезов монокристаллах созданы первые фоточувствительные структуры --- барьеры Шоттки In/CdMgMnTe. Получены спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования, и обнаружена широкополосная фоточувствительность новых структур. На основании спектральных зависимостей фоточувствительности обсуждается характер мезонных переходов и определены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Установлены возможности применения выращенных монокристаллов четверных твердых растворов CdMgMnTe в широкодиапазонных фотопреобразователях оптических излучений.
  • W. Giriat, J.K. Furduna. Semicond. Semimet., 25, 1 (1988)
  • O. Goede, W. Heimbrodt. Phys. Status Solidi B, 146, 11 (1988)
  • В.Ф. Агекян. ФТТ, 44, 1921 (2002)
  • J.A. Gay, R.R. Galazka, N.I. Navrocki. Sol. St. Commun., 25, 193 (1978)
  • J.D. Park, S. Yamamoto, J. Watanabe, K. Takamura, J. Nakaharo. J. Phys. Soc. Jpn., 66, 3289 (1987)
  • В.Ф. Агекян, М.Н. Васильев, А.Ю. Серов, Н.Г. Философов, G. Kazarewski. ФТТ, 47, 2074 (2005)
  • Г.А. Ильчук, Р.Ю. Петрусь, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 78, 49 (2008)
  • Г.А. Ильчук, Р.Ю. Петрусь, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 33 (24), 24 (2007)
  • Ж.И. Алфёров. УФН, 172, 1073 (2002)
  • U. Ozgur, Y.I. Alvov, C. Lio, A. Teke, M.A. Peshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, A.H. Marcoch. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  • А.Е. Поляков, Н.Б. Смирнов, А.В. Говорков, Е.А. Кожукеев, H.S. Kin, D.P. Norton, А.И. Белогоров. ФТП, 43, 574 (2009)
  • Г.К. Аверкиева, М.Е. Бойко, Н.Н. Константинова, Т.Б. Попова, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТТ, 34, 2284 (1992)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.