Предложена модель распределения потенциала в охранных структурах (VTS --- voltage terminating structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, в которых VTS представляет собой систему плавающих кольцевых p+-n-переходов. Модель базируется на экспериментальных вольт-амперных характеристиках межкольцевых промежутков, которые получены для детекторов, изготовленных на высокоомном кремнии с удельным сопротивлением от 1 до 25 кОм · см. Физической основой модели является инжекционный принцип протекания тока через межкольцевые промежутки VTS, что становится возможным при определенном распределении электрического поля в областях пространственного заряда p+-n-переходов чувствительного контакта и колец. Показано, что протекание инжекционного тока является универсальным принципом работы VTS с плавающими кольцами и приводит к жесткой стабилизации потенциалов отдельных колец, в результате чего возможно осуществить требуемое деление потенциала независимо от удельного сопротивления полупроводникового материала.
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
M.S. Adler, V.A.K. Temple, A.P. Ferro, R.C. Rustay. IEEE Trans. Electron Dev., ED-24 (2), 107 (1997)
B.J. Baliga. Fundamentals of Power Semiconductor Devices (N.Y., Springer Science, 2008)
K.P. Brieger, W. Gerlach, J. Pelka. Sol. St. Electron., 26 (8), 739 (1983)
K.D. Suh, S.W. Hong, K. Lee, C.-K. Kim. Sol. St. Electron., 33 (9), 1125 (1990)
B.J. Baliga. Sol. St. Electron., 33, 485 (1990)
D.G. Bae, S.K. Chung. Sol. St. Electron., 42, 349 (1998)
D.G. Bae, S.K. Chung. Sol. St. Electron., 44, 2109 (2000)
В.К. Еремин, Е.М. Вербицкая, И.Н. Ильяшенко, И.В. Еремин, Н.Н. Сафонова, Ю.В. Тубольцев, Н.Н. Егоров, С.А. Голубков, К.А. Коньков. ФТП, 43 (6), 825 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.