"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов
Савельев А.В.1,2, Новиков И.И.3,1, Чунарева А.В.3,1, Гордеев Н.Ю.3,1, Максимов М.В.3,1, Паюсов А.С.1, Аракчеева Е.М.3,1, Щукин В.А.3, Леденцов Н.Н.1,4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 11 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Рассмотрена конструкция полоскового полупроводникового лазера с составным волноводом, образованным из двух туннельно-связанных волноводов, --- узкого, содержащего активную среду, и широкого, формирующего оптическую моду. Показано, что при такой конструкции полупроводникового лазера возможна температурная стабилизация длины волны лазерной генерации. Причиной стабилизации длины волны является генерация в антирезонансных условиях связи двух волноводов, возникающих в узком диапазоне длин волн, положение которого слабо зависит от температуры. Выполненные расчеты при характерных параметрах для лазерной системы InAlGaAsP показали возможность ослабления температурной зависимости длины волны лазерной генерации до 3 раз в температурном диапазоне шириной 60 K.
  • N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin. Opt. Eng., 41 (12), 3193 (2002)
  • M. Fakudo. Optical Semiconductor Devices (N.Y., John Wiley \& Sons, 1999) ISBN 0-471-14959-4
  • G.P. Agrawal. Semiconductor lasers: past, present and future (N.Y., American Institute of Physics, 1994) ISBN 9781563962110
  • N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, A.R. Kovsh, L.Ya. Karachinsky, M.V. Maximov, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov. Semicond. Sci. Technol., 19, 1183 (2004)
  • M.B. Lifshits, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 22 (4), 380 (2007)
  • V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, M.B. Lifshits, A.V. Savelyev, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, S.S. Mikhrin, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 22, 1061 (2007)
  • N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, D. Bimberg. In: Future Trends in Microelectronics: Up the Nano Creek, ed. by S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky (N.Y., Wiley, 2007) p. 301
  • I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.Yu. Gordeev, N.A. Kaluzhniy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov, A.S. Payusov, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov. Semicond. Sci. Technol., 23, 075 043 (2008)
  • V. Shchukin, N. Ledentsov, V. Kalosha, T. Kettler, K. Posilovic, D. Seidlitz, D. Bimberg, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, A.V. Chunareva, M.V. Maximov. Proc. SPIE, 7597, 75971A-1 (2010)
  • F.G. Della Corte, G. Cocorullo, M. Iodice, I. Rendina. Appl. Phys. Lett., 77, 1614 (2000)
  • Х. Кейси и М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  • Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979)
  • C.W. Wilmsen, H. Temkin, L.A. Coldren. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Cambridge University Press, 1999)
  • А.В. Савельев, И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, А.Е. Жуков. ФТП. 43 (12), 1641 (2009).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.