"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические и газочувствительные свойства полупроводниковых наноструктурированных пленок SnO2 : ZrO2
Рембеза С.И.1, Кошелева Н.Н.1, Рембеза Е.С.1, Свистова Т.В.1, Шматова Ю.В.1, Xu Gang2
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Университет Цинхуа, Пекин, КНР
Поступила в редакцию: 10 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Представлены результаты исследований влияния атомного состава металлооксидных полупроводников композитов SnO2 : ZrO2 на морфологию поверхности, размер зерен поликристаллов, электросопротивление, концентрацию, подвижность свободных носителей заряда и газочувствительные свойства тонких пленок (0.5-2.5 мкм). Пленки SnO2 с добавками ZrO2 (содержание Zr менялось от 0.5 до 4.6 ат%) изготавливались методом реактивного ионно-лучевого распыления металлических мишеней разного состава в контролируемой атмосфере Ar + O2. С помощью просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения экспериментально показано, что при увеличении содержания Zr в составе пленки SnO2 : ZrO2 размер зерен поликристаллов уменьшается от 45 до 10 нм, концентрация свободных носителей зарядов уменьшается почти на 4 порядка, а подвижность увеличивается примерно в 9 раз. С ростом количества Zr с пленках SnO2 : ZrO2 от 0.5 до 4.6 ат% температура максимальной газовой чувствительности пленок к таким газам, как этиловый спирт, изопропиловый спирт и ацетон, снижается на 100-190oC.
  • Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
  • Э.Е. Гутман. ЖФХ, LVIII (4), 801 (1984)
  • И.Ф. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С.А. Завьялов. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях (М., Наука, 1991)
  • W. Gopel, K.D. Schierbaum. Sensors Actuators B, 26--27, 1 (1995)
  • М.Н. Румянцева, О.В. Сафонова, М.Н. Булова, Л.И. Рябова, А.М. Гаськов. Сенсор, 2, 8 (2003)
  • Е.С. Рембеза, С.И. Рембеза, Е.А. Ермолина, М.В. Гречкина. Нано- и микросистемная техника, 6 (95), 19 (2008)
  • C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe. Sensors Actuators B, 3, 147 (1991)
  • И.В. Золотухин, Ю.Е. Калинин, О.В. Стогней. Новые направления физического материаловедения (Воронеж, ВГТУ, 2000)
  • В.С. Гриневич, В.В. Сердюк, В.А. Смынтына, Л.Н. Филевская. Журн. аналит. химии, 45 (8), 1521 (1990)
  • Г.В. Самсонов. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
  • E.S. Rembeza, O. Richard, J van Landuyt. Mater. Res. Bull., 34 (10/11), 1527 (1999)
  • G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys., 89 (10), 5243 (2001)
  • А.И. Бутурлин, Г.А. Габузян, Н.А. Голованов, И.В. Бараненков, А.В. Евдокимов, М.Н. Муршудли, В.Г. Фадин, Ю.Д. Чистяков. Зарубеж. электрон. техн., 10, 3 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.