Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

Хабибуллин Р.А.¹, Васильевский И.С.¹, Галиев Г.Б.², Климов Е.А.¹, Пономарев Д.С.¹, Гладков В.П.¹, Кульбачинский В.А.³, Клочков А.Н.^3,2, Юзеева Н.А.²

¹Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

²Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 1 ноября 2010 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Посвящается светлой памяти чл.-корр. РАН В.Г. Мокерова, д-ра физ.-мат. наук, профессора, основателя и первого директора ИСВЧПЭ РАН, основателя и первого заведующего кафедры 67 "Физика наноразмерных гетероструктур и СВЧ наноэлектроники" НИЯУ МИФИ. Исследованы спектры фотолюминесценции и электрофизические параметры P-HEMT структур AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания L_b квантовой ямы относительно поверхности. Образцы изготавливались с постоянной концентрацией электронов в квантовой яме при уменьшении слоя L_b. Установлено, что в спектрах фотолюминесценции для всех образцов присутствуют пики в областях энергии homega=1.28-1.30 и homega=1.35-1.38 эВ, отношение интенсивности которых увеличивается при уменьшении L_b. Расчеты зонной структуры показали, что изменение спектров связано с увеличением встроенного электрического поля при приближении квантовой ямы к поверхности.

C. Gaquiere, J. Grunenutt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Electron Dev. Lett., 26 (8), 533 (2005)
Z. Huang, R. Yu, C. Jiang, T. Lin, Z. Zhang, J. Chu. Phys. Rev. B, 65, 205 312 (2002)
X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St. Electron., 45, 751 (2001)
D.Y. Lee, J.Y. Leem, S.K. Kang, J.S. Kim, J.S. Son, I.H. Bae. Phys. E, 19, 349 (2003)
A. Jasik, A. Wnuk, J. Gaca, M. Woucik, A. Wojcik-Jedlinska, J. Muszalski, W. Strupinski. J. Cryst. Growth, 311, 4423 (2009)
J. Gilperez, J. Sanches-Rojas, E. Munoz, E. Calleja, J.P.R. David, M. Reddy, G. Hill, J. Sanchez-Dehesa. J. Appl. Phys. 76, 5931 (1994)
D. Lin, S. Liang, Y.S. Huang, K.K. Tiong, F.H. Pollak, K.R. Evans. J. Appl. Phys., 85, 8235 (1999)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
Z.Ya. Zhuchenko, G.G. Tarasov, S.R. Lavorik, Yu.I. Mazur, M.Ya. Valakh, H. Kissel, W.T. Masselink, U. Mueller, C. Walther. SQO, 2 (3), 103 (1999)
M. Wojtowicz, D. Pascua, A.C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175, 930 (1997)
S.K. Brierley, A. Torabi, P.S. Lyman. J. Appl. Phys., 86 (2), 914 (1999)
H. Brugger, H. Mussig, C. Wolk, K. Kern, D. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 59 (21), 2739 (1991)
C. Colvard, N. Nouri, H. Lee, D. Ackley. Phys. Rev. B, 39, 8033 (1989)
K.R. Lefebvre, A.F.M. Anwar. Semicond. Sci. Technol., 12, 1226 (1997)
W. Trzeciakowski, M. Gurioli. Phys. Rev. B, 44, 3880 (1991)
Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, А.В. Гук, В.А. Страхов, Н.Г. Еременко. ФТП, 32 (9), 1060 (1998)
X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Z. Zhu, X. Wang, Y. Chang, J. Chu. J. Cryst. Growth., 231, 520 (2001)
G. Ambrazevichus, S. Marcinkevichus, T. Lideikis, K. Naudzius. Semicond. Sci. Technol., 7, 818 (1992)
Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
L.P. Avakyants, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasilevskii, V.A. Kulbachinskii. Semicond. Sci. Technol., 21, 462 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель