Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, PW 5-2, Berlin, Germany
4VI Systems GmbH, Berlin, Germany
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, PW 5-2, Berlin, Germany
4VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 9 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Показано, что применение субмонослойных внедрений InAs в качестве активной среды вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров позволяет достигать резонансных частот до 17 ГГц. При этом одномодовые приборы с меньшим диаметром токовой апертуры позволяют достичь более высоких частот при меньших плотностях тока, чем многомодовые приборы с большим диаметром апертуры. Максимальная безошибочная скорость передачи данных в режиме прямой модуляции по NRZ-формату составляет 20 Гб/с и ограничивается паразитной частотой отсечки. Высокая резонансная частота свидетельствует о том, что при дальнейшей оптимизации конструкции прибора, направленной на снижение электрической емкости и сопротивлений, в лазерах на основе субмонослойных внедрений может быть реализована скорость передачи данных вплоть до 40 Гб/с или выше.
- D. Collins, N. Li, D. Kuchta, F. Doany, C. Schow, C. Helms, L. Yang. Proc. SPIE, 6908-09 (2008)
- K. Iga. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 1 (2008)
- P. Westbergh, J. Gustavsson, A. Haglund, H. Sunnerud, A. Larsson. Electron. Lett., 44, 907 (2008)
- Y.-C. Chang, C. Wang, L. Coldren. Electron. Lett., 43, 1022 (2007)
- S.W. Corzine, R.H. Yan, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 57, 2835 (1990)
- M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Status Solidi A, 164, 297 (1997)
- A. Mutig, G. Fiol, P. Moser, D. Arsenijevic, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, D.A. Livshits, A.R. Kovsh, F. Hopfer, D. Bimberg. Electron. Lett., 44, 1345 (2008).
- M. Sundaram, A. Wixforth, R.S. Geels, A.C. Gossard, J.H. English. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1524 (1991)
- I.L. Krestnikov, M. Strassburg, M. Caesar, A. Hoffman, U.W. Pohl, D. Bimberg, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Litvinov, A.Rosenauer, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 60, 8695 (1999)
- N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, D. Bimberg, A. Hoffmann. Appl. Phys. Lett., 74, 161 (1999)
- M.V. Belousov, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, P.D. Wang, I.N. Yasievich, N.N. Faleev, I.A. Kozin, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, C.M. Sotomayor Torres. Phys. Rev. B, 51, 14 346 (1995)
- N.N. Ledentsov, F. Hopfer, A. Mutig, V.A. Shchukin, A.V. Savel'ev, G. Fiol, M. Kuntz, V.A. Haisler, T. Warming, E. Stock, S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, C. Bornholdt, A. Lenz, H. Eisele, M. Dahne, N.D. Zakharov, P. Werner, D. Bimberg. Proc. SPIE, 6468-47 (2007)
- J.E. Bowers. Sol. St. Electron., 30, 1 (1987)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (Wiley, 1995)
- Y. Ou, J.S. Gustavsson, P. Westbergh, A. Haglund, A. Larsson, A. Joel. IEEE Photon. Technol. Lett., 21, 1840 (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
