Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 7 » Статья стр. 900
<<<>>>
Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg1-xCdxTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Мынбаев К.Д.1, Баженов Н.Л.1, Иванов-Омский В.И.1, Михайлов Н.Н.2, Якушев М.В.2, Сорочкин А.В.2, Ремесник В.Г.2, Дворецкий С.А.2, Варавин В.С.2, Сидоров Ю.Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.
PDF версия
Исследована фотолюминесценция (ФЛ) гетероструктур на основе Hg1-xCdxTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs и Si. Установлено, что для подобных структур характерно существенное нарушение дальнего порядка в кристаллической решетке. Показано, что наблюдаемое разупорядочение в основном обусловлено неравновесным характером МЛЭ и может быть частично снято постростовым термическим отжигом. В спектрах эпитаксиальных слоев и в структурах с потенциальными ямами без эффекта размерного квантования при низких температурах доминирует пик рекомбинации экситона, локализованного в хвостах плотности состояний, энергия которого существенно меньше ширины запрещенной зоны. В квантово-размерных структурах при низких температурах основной пик ФЛ обусловлен рекомбинацией носителей заряда между уровнями квантования, и энергия излучаемого фотона строго определяется эффективной (с учетом энергии уровней квантования) шириной запрещенной зоны.
  1. M.A. Kinch. J. Electron. Mater., 39, 1043 (2010)
  2. A. Rogalski, J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 105, 091 101 (2009)
  3. J. Bleuse, J. Bonnet-Gamard, G. Mula, N. Magnea, J.-L. Pautrat. J. Cryst. Growth, 197, 529 (1999); J.P. Zanatta, F. Noel, P. Ballet, N. Hdadach, A. Million, G. Destefanis, E. Mottin, C. Kopp, E. Picard, E. Hadji. J. Electron. Mater., 32, 602 (2003)
  4. А.А. Андронов, Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров. ФТП, 44, 476 (2010); А.А. Андронов, Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, А.А. Бабенко, В.С. Варавин, Д.Г. Икусов, Р.Н. Смирнов. ФТП, 42, 177 (2008)
  5. R. Legros, R. Triboulet. J. Cryst. Growth, 72, 264 (1985)
  6. A. Lusson, F. Fuchs, Y. Marfaing. J. Cryst. Growth, 101, 673 (1990)
  7. L. Werner, J.W. Tomm, K.H. Herrmann. Infr. Phys., 31, 49 (1991)
  8. F.X. Zha, J. Shao, J. Jiang, W.Y. Yang. Appl. Phys. Lett., 90, 201 112 (2007)
  9. F. Yue, J. Wu, J. Chu, Z. Hu, Y. Li, P. Yang. Appl. Phys. Lett., 93, 131 909 (2008)
  10. I.C. Robin, M. Taupin, R. Derone, P. Ballet, A. Lusson. J. Electron. Mater., 39, 868 (2010)
  11. J. Shao, L. Chen, W. Lu, X. Lu, L. Zhu, S. Guo, L. He, J. Chu. J. Appl. Phys. Lett., 96, 121 915 (2010)
  12. R. Haakenaasen, E. Selvig, C.R. Tonheim, T.O. Kongshaug, T. Lorentzen, L. Trosdahl-Iversen, J.B. Andersen, P. Gundersen. J. Electron. Mater., 39, 893 (2010)
  13. Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
  14. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnol., 3 (1), 120 (2006)
  15. V.I. Ivanov-Omskii, K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, V.A. Smirnov, N.N. Mikhailov, G.Yu. Sidorov, V.G. Remesnik, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky. Phys. Status Solidi C, 7, 1621 (2010)
  16. C.R. Becker, V. Latussek, A. Pfeuffer-Jeschke, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 62, 10 353 (2000)
  17. П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1207 (2004)
  18. К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 40, 3 (2006)
  19. А.И. Ижнин, И.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, Н.Л. Баженов, В.А. Смирнов, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров. Письма ЖТФ, 35 (3), 103 (2009)
  20. Л.Г. Суслина, А.Г. Плюхин, Д.Л. Федоров, А.Г. Арешкин. ФТП, 12, 2238 (1978)
  21. С.Д. Барановский, А.Л. Эфрос. ФТП, 12, 2233 (1978)
  22. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, А.В. Шиляев, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров. Письма ЖТФ, 36 (23), 70 (2010)
  23. Q. Li, S.J. Xu, M.H. Xie, S.Y. Tong. J. Phys.: Condens. Mater., 17, 4853 (2005)
  24. J. Mattheis, U. Rau, J.H. Werner. J. Appl. Phys., 101, 113 519 (2007)
  25. M. Grundmann, C. Dietrich. J. Appl. Phys., 106, 123 521 (2009)
  26. V.I. Ivanov-Omskii, N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev, V.A. Smirnov, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, G.Yu. Sidorov. Physica B, 404, 5035 (2009)
  27. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров. Письма ЖТФ, 36 (23), 39 (2010)
  28. R.C. Miller, A.C. Gossard, W.T. Tsang, O. Munteanu. Phys. Rev. B, 25, 3871 (1982)
  29. E. Monterrat, L. Ulmer, R. Mallard, N. Magnea, J.L. Pautrat, H. Mariette. J. Appl. Phys., 71, 1774 (1992)
  30. S. Krishnamurthy, M.A. Berding, Z.G. Yu, C.H. Swartz, T.H. Myers, D.D. Edwall, R. DeWames. J. Electron. Mater., 34, 873 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme