"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Природа электрического взаимодействия контактов Шоттки
Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Электрическое влияние между собранными в диодную матрицу контактами металл-полупроводник с барьером Шоттки проявляется в значительном изменении их поверхностного потенциала и статических вольт-амперных характеристик. Необходимым условием возникновения электрического взаимодействия между такими контактами является наличие вокруг них распространяющегося на достаточно большие расстояния (<30 мкм) электрического поля периферии --- ореола. Достаточным условием является наличие областей перекрытия этих ореолов. Было показано, что изменение поверхностного потенциала и вольт-амперных характеристик контактов происходит под влиянием собственного электрического поля периферии контакта, а также под влиянием электрического поля периферии матрицы, образованного суперпозицией электрических полей ореолов образующих ее контактов. Степень такого влияния определяется расстоянием между контактами, а также полным суммарным зарядом областей пространственных зарядов всех контактов матрицы: их количеством, размерами (диаметром Di,j), концентрацией легирующей примеси в полупроводнике ND и физической природой системы металл-полупроводник с барьером Шоттки (величиной varphib). Было установлено, что сближение контактов приводит к относительному уменьшению порогового значения "мертвой" зоны на прямых вольт-амперных характеристик, увеличению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности. Увеличение суммарной площади контактов (суммарного электрического заряда ОПЗ) в матрице приводит к увеличению порогового значения "мертвой" зоны, относительному понижению эффективной высоты барьера и незначительному увеличению показателя идеальности.
  • Н.А. Торхов. Деп. в ВИНИТИ N 334-D2008 от 18.04.2008
  • Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Поверхность, 11, 1 (2009)
  • Н.А. Торхов, В.А. Новиков. ФТП, 45 (1), 70 (2011)
  • Н.А. Торхов. ФТП, 44 (5), 615 (2010)
  • Н.А. Торхов. ФТП, 44 (6), 767 (2010)
  • N.F. Mott. Proc. Camb. Phil. Soc., 34. 568 (1938)
  • E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-semiconductor contacts, 2nd edn (Clarendon, Oxford, 1988)
  • S.M. Sze. Modern Semiconductor Device Physics (John Wiley \& Sons Inc., 1997)
  • В.Г. Божков, С.Е. Зайцев. РЭ, 52 (1), 97 (2007)
  • М.И. Векслер. ФТП, 30 (9), 1718 (1996)
  • Н.Л. Чуприков. ФТП, 30 (3), 443 (1996)
  • Н.А. Торхов. ФТП, 35 (7), 823 (2001)
  • И.А. Обухов. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах (Севастополь, Вебер, 2005) с. 165
  • В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36 (5), 537 (2002)
  • www.ntmdt-tips.com
  • В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Н.Новгород, Ин-т физики микроструктур РАН, 2004).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.