"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии
Филатов Д.О.1, Зимовец И.А.2, Исаков М.А.1, Кузнецов В.П.1, Корнаухов А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Метод баллистической электронной эмиссионной спекроскопии впервые применен для исследования энергетического спектра Er-содержащих примесных комплексов в Si. В баллистических электронных спектрах меза-диодов на основе p+-n+-Si-структур с тонким (~30 нм) поверхностным слоем p+-Si : Er в области энергий баллистических электронов eVt, меньших энергии края зоны проводимости Ec в слое p+-Si : Er, наблюдались особенности, связанные с туннельной инжекцией баллистических электронов из зонда сканирующего туннельного микроскопа на глубокие донорные уровни примесных комплексов Er в слое p+-Si : Er с последующим термическим возбуждением в зону проводимости и диффузией к p+-n+-переходу и(или) прямым туннелированием в последний. Для обоснования данного предположения было проведено моделирование транспорта баллистических электронов в системе Pt-зонд-слой естественного окисла SiO2-p+-Si : Er-n+-Si-подложка. Методом аппроксимации экспериментальных баллистических электронных спектров модельными спектрами определена энергия основного состояния Er-содержащего комплекса в Si: Ed~ Ec-0.27 эВ. Указанное значение согласуется с опубликованными ранее в литературе данными, полученными методами измерения температурной зависимости концентрации свободных носителей в слоях Si :Er.
  • G.T. Reed. Silicon Photonics: The State of the Art (Wiley-Interscience, 2008)
  • L. Pavesi, D.J. Lockwood. Silicon Photonics (Springer, 2004)
  • A.J. Kenyon. Semicond. Sci. Technol., 20, R65 (2005)
  • L. Khriachtchev. Silicon Nanophotonics: Basic Principles, Present Status and Perspectives (Pan Stanford, 2008)
  • В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
  • М.В. Степихова, Д.М. Жигунов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Тимошенко, Л.В. Красильникова, В.Ю. Чалков, С.П. Светлов, О.А. Шалыгина, П.К. Кашкаров, З.Ф. Красильник. Письма ЖЭТФ, 81, 614 (2005)
  • А.Н. Яблонский, Б.А. Андреев, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 1519 (2010)
  • О.В. Белова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, О.А. Кузнецов, А.Н. Яблонский, М.В. Кузнецов, В.П. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 42, 136 (2008)
  • V. Narayanamurti, M. Kozhevnikov. Phys. Rep., 349, 447 (2001)
  • В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 413 (2010)
  • M. Prietsch. Phys. Rep., 253, 163 (1995)
  • М.А. Лапшина, М.А. Исаков, Д.О. Филатов, С.В. Тихов, Ю.А. Матвеев, А.В. Зенкевич. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 5, 57 (2010)
  • В.Д. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (Л., Физматгиз, 1976)
  • Physical Properties of Semiconductors. New Semiconductor Materials Database. Characteristics and Properties. Electronic archive. http://www.matprop.ru/Semicond/Si.html
  • D.L. Smith, M. Kozhevnikov, E.Y. Lee, V. Narayanamurti. Phys. Rev. B, 61, 13 914 (2000)
  • L. Esaki, P.J. Stiles. Phys. Rev. Lett., 16, 1108 (1966)
  • J.A. Kubby, J.J. Boland. Surf. Sci. R, 26, 61 (1996)
  • M.S. Tyagi, R. van Overstraeten. Solid-State Eelectron., 26, 577 (1983)
  • В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
  • О.В. Белова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, О.А. Кузнецов, А.Н. Яблонский, М.В. Кузнецов, В.П. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 42, 136 (2008)
  • Таблицы физических величин. Справочник, под ред. И.К. Кикоина (М., Атомиздат, 1976)
  • L. Quattropani, I. Maggio-Aprile, P. Niedermann, O. Fischer. Phys. Rev. B, 57, 6623 (1998)
  • R. Ludeke, E. Cartier, A. Schenk. Appl. Phys. Lett., 75, 1407 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.