"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами
Соболев Н.А.1, Калядин А.Е.1, Кютт Р.Н.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Шек Е.И.1, Афросимов В.В.1, Тетельбаум Д.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Исследованы люминесцентные и структурные свойства в n-FZ-Si и n-Cz-Si, имплантированном ионами Si с аморфизующими дозами и отожженном при 1100oC в хлорсодержащей атмосфере. Анализ спектров обратного резерфордовского рассеяния протонов в имплантированных образцах выявил формирование аморфного слоя, положение и толщина которого зависят от дозы имплантации. Методом рентгеновской дифракции обнаружено образование дефектов межузельного типа в образцах после отжигов. В спектрах фотолюминесценции при 78 K при низких уровнях возбуждения доминировала линия дислокационной люминесценции D1, которая наблюдалась и при 300 K. Положение максимума этой линии, ее полуширина и интенсивность зависели от типа Si и дозы имплантации. С увеличением мощности возбуждения люминесценции в спектре появляется непрерывная полоса. Предложена модель, объясняющая установленные закономерности в поведении спектров фотолюминесценции в зависимости от экспериментальных условий.
  • V. Kveder, M. Badylevich, W. Schroter, M. Seibt, E. Steinman, A. Izotov. Phys. Status Solidi A, 202, 901 (2005)
  • X. Yu, W. Seifert, O.F. Vyvenko, M. Kittler, T. Wilhelm, M. Reiche. Appl. Phys. Lett., 93, 041 108 (2008)
  • Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
  • Э.А. Штейнман. ФТТ, 47, 9 (2005)
  • Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 41, 555 (2007)
  • M. Wzorek, A. Czerwinski, J. Ratajczak, A. Misiuk, B. Surma, J. Katcki. Phys. Status Solidi C. 4, 3020 (2007)
  • T. Mchedlidze, T. Arguirov, M. Kittler, T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz. Sol. St. Phenomena, 131-- 133, 303 (2008)
  • Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТП, 39, 1271 (2005)
  • N.A. Drozdov, A.A. Patrin, V.T. Tkachev. Phys. Statuc Solidi A, 64, K63 (1981)
  • M. Tajima, M. Tokita, M. Warashina. Mater. Sci. Forum, 196-- 201, 1749 (1995)
  • R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.H. Kurster, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1(1985)
  • A.T. Blumenau, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon, T. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 87, 187 404 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.