Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

An accurate polynomial-based analytical charge control model for AlGaN/GaN HEMT

Jinrong pu¹, Jiuxun Sun¹, Da Zhang¹

¹Department of Applied Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People's Republic of China

Поступила в редакцию: 13 января 2011 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

A new nonlinear expression of Fermi-level variation with two-dimensional electron gas density in a high electron mobility has been proposed. It was found that our expression has a better fit with the numerical results. And, an analytical expression for n_s in terms of the applied gate voltage is developed. Comparing with other previous approximations, the solutions of our expression has a better agreement with the exact numerical results over the entire range of interest. Besides, the solutions of our expression of n_s versus V_G are compared with the experimental data and shown to be in good agreement over a wide range of bias conditions.

H. Ahn, M.E. Nokali. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 874 (1994)
S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
D. Delagebeaudeuf, N.T. Linh. IEEE Trans. Electron. Dev., 29, 955 (1982)
Rashmi, A. Kranti, S. Haldar, R.S. Gupta. Solid-State Electron., 46, 621 (2002)
T.J. Drummond, H. Morkoc, K. Lee, M. Shur. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-3, 338 (1982)
S. Kola, J.M. Golio, G.N. Maracas. Electron. Dev. Lett., 9, 136 (1988)
A.J. Shey, W.H. Ku. Electron. Dev. Lett., 9, 624 (1988)
A.J. Shey, W.H. Ku. IEEE Trans. Electron. Dev., 36, 2299 (1989)
N. DasGupta, A. DasGupta. Solid-State Electron., 36, 201 (1993)
Rashmi, A. Kranti, S. Haldar. Solid-State Electron., 46, 622 (2002)
A.N. Khondker, A.F.M. Anwar, M.A. Islam. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 1825 (1986)
L.S. Yu, D.J. Qiao, Q.J. Xing, S.S. Lau, K.S. Boutros, J.M. Redwing. Appl. Phys. Lett., 73, 238 (1998)
G. Martin, S. Strite, A. Botchkaev, A. Rockett. Appl. Phys. Lett., 65, 610 (1994)
G. Martin, A. Botchkarev. Appl. Phys. Lett., 68, 2541 (1996)
D. Brunner, H. Angerer, H. Angerer. Appl. Phys. Lett., 82, 5090 (1997)
O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart. J. Appl. Phys., 87, 334 (2000)
J.A. Barrido, J.L. Sanchez-Rojas, A. Jumenez. Appl. Phys. Lett., 75, 2407 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель