Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 15 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Оптическими методами определена ширина запрещенной зоны Eg кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te, а также ее температурная зависимость. Это мотивировано значительной разноречивостью литературных данных, затрудняющих интерпретацию и расчет характеристик детекторов X- и gamma-излучения на основе этих материалов (Eg=1.39-1.54 и 1.51-1.6 эВ для CdTe и Cd0.9Zn0.1Te соответственно). Используемая методика определения Eg проанализирована с точки зрения влияния факторов, приводящих к неточностям определения ее значения. Измерения проведены на хорошо очищенных и совершенных образцах. Полученные данные для CdTe (Eg=1.47-1.48 эВ) и Cd0.9Zn0.1Te (Eg=1.52-1.53 эВ) при комнатной температуре существенно сужают интервал точности определения значений Eg.
- Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 36, 1146 (1996)
- J.F. Butler, C.L. Lingren, F.P. Doty. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 605 (1992)
- R.H. Bube. Phys. Rev., 98, 431 (1955)
- C. Konak. Phys. Status. Solidi. 3, 1274 (1963)
- M. Cardona, K. Shaklee, F. Pollak. Phys. Rev., 154, 697 (1967)
- S. Del Soldo, L. Abbene, E. Caroli, A. Mancini, A. Zappettini, P. Ubertini. Sensors, 9 (5), 3491 (2009)
- Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, ed. by S. Kasap, P. Capper (Springer Science, N.Y., 2006)
- A. Owens, A. Peacock. Nucl. Instr. Meth., A531, 18 (2004)
- T. Takahashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 950 (2001)
- J. Franc, P. Hli dek, P. Moravec, E. Belas, P. Hoschl, L. Turjanska, R. Varghov'a. Semicond. Sci. Technol, 15, 561 (2000)
- S.M. Johnson, S. Sen, W.H. Konkel, M.H. Kalisher. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (3), 1897 (1991)
- A.J. Syllaios, P.K. Liao, B.J. Greene, H.F. Schaake, H.Y. Liu, G. Westphal. J. Electron. Mater., 26, 567 (1997)
- D.T.F. Marple. Phys. Rev., 150, 728 (1966)
- J. Singh. Physics of Semiconductors and Their Heterostructures (McGraw-Hill, N.Y., 1993)
- П.С. Киреев, Л.В. Волкова, В.В. Волков, Ю.В. Платонов. ФТП, 6 (1), 135 (1971)
- D.J. Olego, J.P. Faurie, S. Sivananthan, P.M. Raccah. Appl. Phys. Lett., 47, 1172 (1985)
- P. Fougeres, P. Siffert, M. Hageali, J.M. Koebel, R. Regal. Nucl. Instr. Meth., A428, 38 (1999)
- K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 6 (2), 121 (2003)
- A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueras. J. Appl. Phys., 83 (4), 2121 (1998)
- M. Prokesch, C. Szeles. J. Appl. Phys., 100, 014 503 (2006)
- J.L. Reno, E.D. Jones. Phys. Rev. B. 45, 1440 (1992)
- E. Lopez-Cruz, J. Gonzalez-Hernandez, D. Dallred, W.P. Allred. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1934 (1990)
- N. Bottka, J. Stankiewicz, W. Giriat. J. Appl. Phys., 52 (6), 41 (1981)
- H. Kuzmany. Solid-State Spectroscopy: An Introduction (Springer-Verlag: Berlin--Heidelberg--N.Y., 1998)
- E.J. Johnson. In: Semiconductors and Semimetals ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y., 1967) v. 3, p. 153
- J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors (Prentice--Hall, N.J., 1971)
- M. Fox. Optical properties of Solids (Oxford University Press, N.Y., 2001)
- T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jpn. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
