"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Основные особенности фотостимулированного переноса ионов в гетеропереходах на основе смешанных ионно-электронных (дырочных) проводников и модель тонкопленочного ионного ускорителя
Стецун А.И.1, Дворина Л.А.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Рассмотрены основные особенности фотостимулированного переноса ионов в гетероструктурах на основе смешанных ионно-электронных (дырочных) проводников. Показано, что за счет корректного использования действия определенных физических факторов и специального дизайна для такой гетероструктуры можно реализовать эффективное ускорение ионов. Таким способом можно создать тонкопленочный ионный ускоритель.
  • А.И. Стецун. ФТТ, 46 (6), 1092 (2004)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  • И.З. Индутный, М.Т. Костышин, О.П. Касярум, В.И. Минько, Е.В. Михайловская, П.Ф. Романенко. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1992)
  • A.V. Kolobov, S.R. Elliott. Adv. Phys., 40 (5), 625 (1991)
  • У. Моро. Микролитография (М., Мир, 1990)
  • J. Bordogna, S.A. Keneman. Holographic Recording Media, ed. by H.M. Smith (Berlin, Springer 1977) p. 229
  • М.Т. Костышин, П.Ф. Романенко, И.З. Индутный и др. Фундаментальные основы оптич. памяти и среды, 14, 85 (1983)
  • A.P. Firth, P.S. Ewen, A.E. Owen. Structure Non-Cryst. Materials. Proc. 2nd Int. Conf. (Cambridge--London--N.Y., 1982)
  • P.J.S. Ewen, W. Taylor. Philosophical Magazine B, 48 (4), L15 (1983)
  • П.Ф. Романенко. Автореф. канд. дисс. (Киев, 1971)
  • R. Ishikawa. Sol. St. Commun., 30, 99 (1979)
  • A. Matsuda, M. Kikuchi. Sol. St. Commun., 13, 401 (1973)
  • H. Kokado, I. Shimizu, T. Tatsuno, E. Inoue. J. Non-Cryst. Sol., 21, 225 (1976)
  • И.З. Индутный, А.А. Кудрявцев, Е.В. Михайловская. Препринт N 10--91. Ин-т полупроводников АН УССР (Киев, 1991)
  • S.T. Lakshmikumar. J. Non-Cryst. Sol., 88, 196 (1986)
  • В.А. Данько, И.З. Индутный, А.А. Кудрявцев, В.И. Минько, А.И. Стецун. Укр. физ. журн., 36 (6), 937 (1991)
  • A.V. Kolobov, G.E. Bedelbaeva. Phil Mag. B., 64, 21 (1991)
  • A.I. Stetsun, I.Z. Indutnyi, V.G. Kravets. J. Non-Cryst. Sol. 202, 113 (1996)
  • A.V. Stonski, M. Vlv cek, A.I. Stetsun, A. Sklenar, P.E. Shepeliavyi. J. Non-Cryst. Sol., 270, 129 (2000)
  • А.И, Стецун. ФТП, 37 (10), 1197 (2003)
  • В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969)
  • В.Н. Чеботин, М.В. Перфильев. Электрохимия твердых электролитов (М., Химия, 1978)
  • Е.А. Укше, Н.Г. Букун. Твердые электролиты (М., Наука, 1977)
  • A. Feltz. J. Non-Cryst. Sol., 90, 545 (1987)
  • K. Funke. J. Non-Cryst. Sol., 172, 1215 (1994)
  • A. Pradel, M. Ribes. J. Non-Cryst. Sol., 172, 1315 (1994)
  • А. Лидьярд. Ионная проводимость в кристаллах (М., Иностр. лит., 1962)
  • А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы (М., Энергоатомиздат, 1987)
  • А.И. Стецун. Патент Украины на полезную модель N 31004. Промышленная собственность [Бюл. N 6 (2008)]
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.