Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs--InGaAs--GaAs
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Научно-производственное предприятие Исток, Фрязино, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Научно-производственное предприятие Исток, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Рассмотрены результаты численного моделирования и экспериментального исследования влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs-InGaAs-GaAs (p-HEMT). Продемонстрирована возможность корректного моделирования статических характеристик реальных приборных конструкций p-HEMT-транзисторов с использованием программного пакета TCAD фирмы SILVACO. Показана принципиальная необходимость использования селективного травления затворной канавки для контролируемого и воспроизводимого получения требуемых приборных характеристик.
- M. Malmkvist, S. Wang, J.V. Grahn. IEEE Trans. Electron. Dev., 55, 268 (2008)
- H. Brech, T. Grave, T. Simlinger, S. Selberherr. IEEE Trans. Electron. Dev., 44, 1822 (1998)
- V. Palankovski, R. Quay, S. Selberherr. IEEE J. Sol. St. Circuits, 36, 1365 (2001)
- SIL VACO International, ATLAS user's manual. DEVICE SIMULATION SOFTWARE (Santa Clara, CA, 2008)
- В.Е. Земляков, В.А. Красник, В.И. Васильев, С.А. Легенкин, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, В.С. Михрин, В.М. Устинов. Proc. 15 Int. Conf. Microwave \& Telecommunication Technology ( CriMiCo'2005) (Sevastopol, Crimea, Ukraine, Sept. 12--16, 2005)
- Е.Ю. Днестранская, К.В. Дудинов, В.Г. Тихомиров, А.М. Емельянов, А.Ю. Городецкий. Матер. IX Всеросс. науч.-техн. конф. "Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА" (Звенигород, Московская обл., 1--3 декабря 2010)
- В.Г. Тихомиров, Н.А. Малеев, В.Б. Янкевич, В.М. Устинов. Матер. XVI координац. науч.-техн. сем. по СВЧ технике (пос. Хахалы, Нижегородская область, 8--10 сентября 2009) с. 67
- Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, В.С. Михрин, А.П. Васильев, М.М. Кулагина, В.А. Зелюкина, В.Е. Земляков, А.С. Шуленков. Матер. XV координац. науч.-техн. сем. по СВЧ технике (пос. Хахалы, Нижегородская область, 4--6 сентября 2007) с. 65
- R. Menozzi. IEEE Trans. Dev. and Mater. Reliability, 4, 54 (2004)
- B. Meinerzhagen, W.L. Engl. IEEE Trans. Electron. Dev., 35, 689 (1988)
- S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Wien, N.Y., Springer-Verlag, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
