Приведены результаты исследования зависимости электрических и электролюминесцентных свойств флип-чип светодиода на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (lambda~3.37 мкм) от температуры (20-200oC). Показано, что протекание тока через светодиод определяется туннельно-рекомбинационным (прямое смещение) и диффузионным (обратное смещение) механизмами. Максимум спектра излучения определяется рекомбинацией зона--зона. При нагреве светодиода вследствие уменьшения ширины запрещенной зоны арсенида индия спектр излучения смещается в область больших длин волн. Уменьшение мощности излучения с увеличением температуры носит сверхэкспоненциальный характер и обусловлено главным образом ростом скорости оже-рекомбинации.
А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев. ФТП, 44 (2), 278 (2010)
В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы (М., Высш. шк., 1987)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 35 (12), 1431 (2001)
M.P. Mikhailova. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (London, World Scientific, 1999)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб, ПИЯФ, 1997)
Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16 (4), 592 (1982)
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 35 (5), 619 (2001)
Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 39 (11), 128 (2005)