"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах
Закгейм А.Л.1, Левинштейн М.Е.2, Петров В.П.2, Черняков А.Е.1, Шабунина Е.И.2, Шмидт Н.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Приведены результаты исследования спектральной плотности шума и ее зависимости от плотности тока в исходных и деградировавших синих светодиодах на основе InGaN/GaN квантоворазмерных структур. Показано, что генерация дефектов в процессе деградации происходит неоднородно и концентрируется вдоль протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов. Выяснено, что снижение значений внешней квантовой эффективности в процессе старения вызвано усилением неоднородности протекания тока, приводящим к формированию шунтов и областей локального перегрева. Эти эффекты --- причины, типичного для синих светодиодов, неоднозначно развития деградационного процесса, затрудняющего прогнозирование срока службы светодиодов. В узком диапазоне плотностей тока 10-2-10-1 А/см2, соответствующему развитию излучательной рекомбинации, обнаружен эффект подавления шума.
  • M.S. Shur, A. Zukauskas. Proc. IEEE Solid-State Lighting: Toward Superior Illumination (2005) v. 93, p. 1691
  • А.Э. Юнович, П.С. Копьёв. Тез. докл. Междунар. форума по нанотехнологиям (М., Россия, 2008) т. 1, с. 119
  • M. Georg. Craford Proceeding of First International Conference on White LEDs and Solide State Lighting (2007) v. 1, p. 5
  • U. Zehnder, A. Weimar, U. Strauss, M. Fehrer, B. Hahn, H.J. Lugauer, V. Harle. J. Cryst. Growth, 230, 497 (2001)
  • G. Meneghesso, M. Meneghini, E. Zanoni. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 354 007 (2010)
  • А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 33, 224 (1999)
  • M. Meneghini, N. Trivelli, K. Orita, S. Takigava, M. Yuri, T. Tanaka, D. Ueda, E. Zanoni, G. Meneghesso. IEEE Electron. Dev. Lett., 30, 356 (2009)
  • T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno. Appl. Phys. Lett., 69, 830 (1996)
  • Shigetaka Tomiya et al. Phys. Status Solidi A, 200, 139, (2003)
  • Н.И. Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 122 (2006)
  • N.G. Gardner, G.O. Muller, Y.C. Shen, S. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 91, 243 506 (2007)
  • M. Albrecht, T. Schulz, J. Weyher, B. Lucznik, P. Prystawko. Proc. 8th Int. Workshop BIAMS 2006 p. 28
  • L.K.J. Vandamme. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 2176 (1994)
  • Г.П. Жигальский. УФН, 173, 465 (2003)
  • S. Bychikhin, D. Poganya, L.K.J. Vandamme, G. Meneghesso, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 97, 123 714 (2005)
  • T.G.M. Kleinpenning. Physica B, 98, 293 (1980)
  • M.Yu. Perov, N.V. Baidus, A.V. Belyakov, G.A. Maksimov, A.V. Moryashin, S.M. Nerorkin, L.K.J. Vandamme, A.V. Yakimov, B.N. Zvonkov. Proc. 17th Int. Conf. on noise and fructuations (ICNF, 2003, Czech Republic) p. 393
  • S.K. Jeon, J.G. Lee, E.H. Park, J.H. Jang, J.G. Lim, S.K. Kim, J.S. Park. Appl. Phys. Lett., 94, 131106 (2009)
  • M. Meneghini, A. Tazzoli, G. Mura, G. Meneghesso, E. Zanoni. IEEE Trans. Electron. Dev., 57, 108 (2010)
  • N. Shmidt, A. Besyul'kin, M. Dunaevsky et al. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 025 (2002)
  • A.V. Ankudonov, A.I. Basyul'kin, A.G. Kolmakov, et. al. Physica B, 462, 340 (2003)
  • A.V. Kamanin, A.G. Kolmakov, P.S. Kop'ev, G.A. Onushkin, A.V. Sakharov, N.M. Shmidt, D.S. Sizov, A.A. Sitnikova, A.L. Zakgeim, R.V. Zolotareva, A.S. Usikov. Phys. Status Solidi, 3, 2129 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.