Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo, полученных на различных подложках
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
4Korea Polytechnic University,, Jungwang-dong, Siheung-city, Gyeonggi-do, 429-793, Korea
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
4Korea Polytechnic University,, Jungwang-dong, Siheung-city, Gyeonggi-do, 429-793, Korea
Поступила в редакцию: 29 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
Представлены результаты по измерению первых спектров относительной квантовой эффективности фотопреобразования тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo, изготовленных на жесткой (стекло) и гибкой (полиимид) подложках. Исследован характер межзонных переходов и определены значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2. Обнаружено, что с переходом от жеских к гибким подложкам наблюдается смещение максимальной фоточувствительности полученных солнечных элементов в коротковолновую спектральную область. Сделан вывод о возможностях применений тонкопленочных структур Cu(In,Ga)Se2 в качестве широкополосных фотопреобразователей солнечного излучения.
- В.И. Стафеев. ФТП, 44, 577 (2010)
- Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, N.N. Ledentsov. Semiconductor Heterostructures. (M., Nauka, 1976)
- I. Repins, M.A. Contreras, B. Egaas, C. Egaas, C. Scharf, C.L. Perkins, B. To, R. Noufi. Proc. Photovolt.: Res. Appl., 16, 235 (2008)
- M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 18, 346 (2010)
- V.Yu. Rud, Yu.V. Rud, H.-W. Schock. Sol. St. Phenomena. 67--68, 421 (1999)
- H. Zachmann, S. Heinker, A. Braum, A.V. Mudryi, V.F. Gremenok, A.V. Ivanyukovich, M.V. Yakushev. Thin Sol. Films. 517, 2209 (2009)
- F. Kessler, D. Herrmann, M. Powalla. Thin Sol. Films, 480--481, 491 (2005)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
