Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование методом электроотражения влияния gamma-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN

Беляев А.Е.¹, Клюй Н.И.¹, Конакова Р.В.¹, Лукьянов А.Н.¹, Данильченко Б.А.², Свешников Ю.Н.³, Клюй А.Н.⁴

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

³ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
⁴Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 27 июля 2011 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты измерений спектров электроотражения образцов эпитаксиальных пленок GaN на сапфире, подверженных действию gamma-облучения дозами 10⁵-2·10⁶ рад. Рассчитанные на основе модели 3 переходов теоретические спектры электроотражения с достаточной точностью совпадают с экспериментальными данными. Полученные в рамках модели величины энергий и уширений переходов дают основание полагать, что в пленках GaN существуют внутренние механические напряжения, значения которых меняются в зависимости от дозы gamma-излучения.

E. Gaubas, P. Pobedinskas, J. Vaitkus, A. Uleckas, A. Zukauskas, A. Blue, Ruhman, K.M. Smith, E. Aujol, B. Beaumont, J.-P. Faurie, P. Gibart. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 552, P. 82 (2005)
V.V. Emtseva, V.Yu. Davydova, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyana, D.S. Poloskina, A.N. Smirnova, E.A. Troppa, Yu.G. Morozov. Physica B, 401--402, 315 (2007)
V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovskii, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Smirnov, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter. J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15, 73 (2000)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Potenta. J. Phys.: Condens. Matter., 12, 10 161 (2000)
M. Julier, J. Campo, B. Gil, J. Lascaray, S. Nakamura. Phys. Rev. B, 57 (12), R6791 (1998)
В.Г. Бойко, С.С. Веревкин, Н.Г. Колин, А.В. Корулин, Д.И. Меркурисов, А.Я. Поляков, В.А. Чевычелов. ФТП, 45 (1), 136 (2011)
Kwiseon Kim, Walter R.L. Lambrecht, Benjamin Segall, Mark van Schlilfgaarde. Phys. Rev. B, 56 (12), 7363 (1997)
V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, V.V. Gorley, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Appl. Surf. Sci., 253, 246 (2006)
K.P. Korona, A. Wysmo ek, K. Paku a, R. Stepniewski, J.M. Baranowski, I. Grzegory, B. ucznik, M. Wro'blewski, S. Porowski. Appl. Phys. Lett., 69 (6). 788 (1996)
В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
R. Kudrawiec. M. Syperek, J. Misiewicz, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, M. T acza a. Superlat. Microstr., 36, 643 (2004)
S.F. Chichibua, K. Torri, T. Deguchi, T. Sota, A. Setoguchi, H. Nakanishi, T. Azuhata, S. Nakamur. Appl. Phys. Lett., 76 (12), 1576 (2000)
C.F. Li, Y.S. Huang, L. Malikova, F.H. Pollak. Phys. Rev. B, 55 (15), 9251 (1997)
S. Shokhovets, R. Goldhahn, G. Gobsch. Mater. Sci. Eng. B, 93, 215 (2002)
A.V. Kurakin, S.A. Vitusevich, S.V. Danylyuk, H. Hardtdegen, N. Klein, Z. Bougriouva, B.A. Danilchenko, R.V. Konakova, A.E. Belyaev. J. Appl. Phys., 103, 083 707 (2008)
Y.S. Huang, Fred H. Pollak, S.S. Park, K.Y. Lee, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 94 (2). 899 (2003)
C.F. Li, Y.S. Huang, L. Malikova, F.H. Pollak. Phys. Rev. B, 55 (15), 9251 (1997)
B. Gil, O. Briot, R.-L. Aulombard. Phys. Rev. B, 52 (24), R17028 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель