"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Картирование усиления двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка
Семин С.В.1,2, Шерстюк Н.Э.1, Мишина Е.Д.1, Герман К.3, Кулюк Л.3, Расинг Т.2, Пенг Л.-Х.4
1Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2Институт молекул и материалов, Университет Наймегена, НР Наймеген, Нидерланды
3Институт прикладной физики Академии наук Молдовы, MD Кишинев, Республика Молдова
4Факультет электротехники и Институт фотоники и оптоэлектроники, Национальный университет Тайваня, Тайпей, Тайвань (КНР)
Поступила в редакцию: 5 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Приведены результаты экспериментального исследования в режиме картирования образца при комнатной температуре двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка, представляющих собой свободно стоящие совокупности микростержней. Получены спектры двухфотонной люминесценции в экситонной области для отдельных микростержней. Степенная зависимость роста интенсивности люминесценции от мощности оптической накачки с показателем степени n>2 и наличие пороговой мощности, характеризующейся отклонением от квадратичной зависимости в экситонной области, свидетельствуют о возникновении усиления света в отдельном микростержне оксида цинка и условий, предшествующих лазерной генерации.
  • H. Piller, R. Hauschild, J. Zeller, C. Klingshirn, H. Kalt, R. Kling, F. Reuss, C. Kircher, A. Waag. J. Luminesc., 112, 173 (2005)
  • B.P. Zhang, N.T. Binh, Y. Segawa, Y. Kashiwaba, K. Haga. Appl. Phys. Lett., 84, 586 (2004)
  • T. Hirai, Y. Harada, S. Hashimoto, T. Itoh, N. Ohno. J. Luminesc., 112, 196 (2005)
  • A.L. Pan, R.B. Liu, S.Q. Wang, Z.Y. Wu, L. Cao, S.S. Xie, B.S. Zou. J. Cryst. Growth, 282, 125 (2005)
  • V.V. Zalamai, V.V. Ursaki, C. Klingshirn, H. Kalt, G.A. Emelchenko, A.N. Redkin. Appl. Phys. B, 97, 817 (2009)
  • M.A. Zimmler, J. Bao, F. Capasso, S. Muller, C. Ronning. Appl. Phys. Lett., 93, 051101 (2008)
  • А.Н. Грузинцев, А.Н. Редькин, З.И. Маковей, Е.Е. Якимов, К. Бартхоу (C. Barthou), П. Беналул (P. Benalloul). ФТП, 41 (6), 735 (2007)
  • V.M. Markushev, V.V. Ursaki, M.V. Ryzhkov, C.M. Briskina, I.M. Tiginyanu, E.V. Rusu, A.A. Zakhidov. Appl. Phys. B, 93, 231 (2008)
  • L.E. Li, L.N. Demianets. Optical Mater., 30, 1074 (2008)
  • C.F. Zhang, F. Zhang, T. Xia, N. Kumar, J. Hahm, J. Liu, Z.L. Wang, J. Xu. Opt. Express, 17, 7893 (2009)
  • G.P. Zhu, C.X. Xu, J. Zhu, C.G. Lv, Y.P. Cui. Appl. Phys. Lett., 94, 051106 (2009)
  • A. Burlacu, V.V. Ursaki, V.A. Skuratov, D. Lincot, T. Pauporte, H. Elbelghiti, E.V. Rusu, I.M. Tiginyanu. Nanotechlogy, 19, 215 714 (2008)
  • Zhong Lin Wang. J. Phys.: Condens. Matter, 16, R829 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.