"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перенос заряда на границе n-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты: исследования методом электрохимической импедансной спектроскопии
Лебедев М.В.1, Masuda T.2, Uosaki K.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Physical Chemistry Laboratory, Division of Chemistry, Graduate School of Science, Hokkaido University, Sapporo 06, Japan
Поступила в редакцию: 3 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Методом электрохимической импедансной спектроскопии исследуются процессы переноса зарядов на границе n-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты. Установлено, что при приложении к полупроводнику анодных потенциалов импедансные спектры содержат две емкостные полупетли, соответствующие емкости области пространственного заряда и емкости поверхностных состояний. При приложении потенциала холостого хода изгиб зон на границе полупроводника с раствором равен 0.7 эВ, а плотность заполненных поверхностных состояний полупроводника в темноте и при освещении комнатным светом равна соответственно 1.6 и 2.8·1012 см2эВ-1. При приложении к полупроводнику катодного потенциала происходит выделение водорода на границе полупроводник/раствор и в импедансном спектре появляется дополнительная индуктивная петля. Одновременно происходит возрастание плотности интерфейсных состояний как за счет выпрямления зон полупроводника, так и за счет формирования связей As--H. Таким образом, перенос заряда через границу n-GaAs(100)/водный раствор HCl всегда происходит с участием поверхностных состояний.
  • T. Suzuki, M Ogawa. Appl. Phys. Lett., 31, 473 (1977)
  • R.P. Vasquez, B.F. Lewis, F.J. Grunthaner. J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 791 (1983)
  • O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2655 (1999)
  • B.H. Erne, M. Stchakovsky, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. J. Electrochem. Soc., 145, 447 (1998)
  • R. Memming. Semiconductor Electrochemistry (Wiley-VCH, Weinheim, 2001)
  • T.A. Abshere, J.L. Richmond. J. Phys. Chem. B, 104, 1602 (2000)
  • Y. Ishikawa, T. Fujui, H. Hasegawa. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1163 (1997)
  • I. Yagi, S. Idojiri, T. Aatani, K. Uosaki. J. Phys. Chem. B, 109, 5021 (2005)
  • Y. Huang, J. Luo, D.G. Ivey. Thin Sol. Films, 496, 724 (2006)
  • Z. Hens, W.P. Gomes. J. Phys. Chem. B, 104, 7725 (2000)
  • G. Horowitz, P. Allongue, H. Cachet. J. Electrochem. Soc., 131, 2563 (1984)
  • V. Lazarescu, M.F. Lazarescu, E. Santos, W. Schmickler. Electrochim. Acta, 49, 4231 (2004)
  • C. Debiemme-Chuovy, H. Cachet. J. Phys. Chem. C, 112, 18 183 (2008)
  • P.T. Chen, Y. Sun, E. Kim, P.C. McIntyre, W. Tsai, M. Garner, P. Pianetta, Y. Nishi, C.O. Chui. J. Appl. Phys., 103, 034 106 (2008)
  • M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 112, 18 510 (2008)
  • M.V. Lebedev, E. Mankel, T. Mayer, W. Jaegermann. Phys. Status Solidi C, 7, 193 (2010)
  • K.W. Frese, S.R. Morrison. J. Electrochem. Soc., 126, 1235 (1979)
  • S.D. Offsey, J.M. Woodall, A.C. Warren, P.D. Kirchner, T.I. Chappell, G.D. Pettit. Appl. Phys. Lett., 48, 475 (1986)
  • J.-F. Fan, Y. Kurata, Y. Nannichi. Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2255 (1989)
  • G.S. Chang, W.C. Hwang, Y.C. Wang, Z.P. Yang, J.S. Hwang. J. Appl. Phys., 86, 1765 (1999)
  • X. Li, P.W. Bohn. J. Electrochem. Soc., 147, 1740 (2000)
  • C.M. Finnie, X. Li, P.W. Bohn. J. Appl. Phys., 86, 4997 (1999)
  • D. Liu, T. Zhang, R.A. LaRue, J.S. Harris, T.W. Sigmon. Appl. Phys. Lett., 53, 1059 (1988)
  • T. Mayer, M. Lebedev, R. Hunger, W. Jaegermann. Appl. Surf. Sci., 252, 31 (2005)
  • B.H. Erne, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. J. Phys. Chem. B, 103, 2948 (1999)
  • B.H. Erne, D. Vanmaekelbergh. J. Electrochem. Soc., 144, 3385 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.