Вышедшие номера
Влияние температуры осаждения пленки AlOx методом спрей-пиролиза на ее пассивирующие свойства в конструкции кремниевого солнечного элемента
Унтила Г.Г.1, Кост Т.Н.1, Чеботарёва А.Б.1, Закс М.Б.2, Ситников А.М.2, Солодуха О.И.2
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Исследовано влияние температуры осаждения пленки AlOx в диапазоне 330-530oC методом спрей-пиролиза на параметры кремниевых (n+pp+)Cz-Si/AlOx солнечных элементов при тыльном освещении. Обнаружено, что с ростом температуры осаждения AlOx уменьшаются все тыльные параметры: фототок с 25.4 до 24.1 мА/см2, фотонапряжение с 611 до 598 мВ, эффективность с 12.2 до 10.9%, что свидетельствует об ухудшении пассивации p+-поверхности пленкой AlOx. Сделан вывод, что с увеличением температуры осаждения AlOx растет величина положительного заряда, встроенного в нестехиометрический межфазный слой SiOx, образующийся между c-Si и AlOx в процессе осаждения AlOx, что приводит к экранированию отрицательного заряда, локализованного на границе AlOx/SiOx, и соответственно к уменьшению индуцированной полем пассивации.
  1. B. Hoex, J.J. H. Gielis, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. J. Appl. Phys., 104 113703 (2008)
  2. R. Hezel, K. Jaeger. J. Electrochem. Soc., 136, 518 (1989)
  3. G. Agostinelli, P. Vitanov, Z. Alexieva, A. Harizanova, H.F.W. Dekkers, S. De Wolf, G. Beaucarne. Proc. 19th Europ. Photovolt. Splar Energy Conf. (Paris, 2004) p. 132
  4. G. Agostinelli, A. Delabie, P. Vitanov, Z. Alexieva, H.F.W. Dekkers, S. De Wolf, G. Beaucarne. Sol. Energy Mater. Solar. Cells, 90, 3438 (2006)
  5. B. Hoex, S.B.S. Heil, E. Langereis, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Appl. Phys. Lett., 89, 042 112 (2006)
  6. B. Hoex, J. Schmidt, R. Bock, P.P. Altermatt, M.C.M. d. Sanden, W.M.M. Kessels. Appl. Phys. Lett., 91, 112 107 (2007)
  7. J. Schmidt, A. Merkle, R. Brendel, B. Hoex, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Photovolt.: Res. Appl., 16, 461 (2008)
  8. J. Benick, B. Hoex, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels, O. Schultz, S.W. Glunz. Appl. Phys. Lett., 92, 253 504 (2008)
  9. J. Benick, B. Hoex, G. Dingenmans, W.M.M. Kessels, A. Richter, M. Hermle, S.W. Glunz. Proc. 24th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (Hamburg, 2009) p. 863
  10. B. Vermang, X. Loozen, C. Allebe, J. John, E. Van Kerschaver, J. Poortmans, R. Mertens. Proc. 24th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (Hamburg, 2009) p. 1051
  11. S. Miyajima, J. Irikawa, A. Yamada, M. Konagai. Proc. 24th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (Valencia, 2009) p. 1029
  12. P. Saint-Cast, D. Kania, M. Hofmann, J. Benick, J. Rentsch, R. Preu. Appl. Phys. Lett., 95, 151 502 (2009)
  13. T.-T. Li, A. Cuevas. Phys. Status Solidi, RRL 3, 160 (2009)
  14. T.-T. Li, S. Ruffell, M. Tucci, Y. Mansoulie, Ch. Samundsett, S. DeIullis, L. Serenelli, A. Cuevas. Sol. Energy Mater. Solar. Cells, 95, 69 (2010)
  15. G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 25th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (Valencia, 2010) p. 2592
  16. A. Chebotareva, G. Untila, T. Kost, S. Jorgensen, A.G. Ulyashin. Thin Sol. Films, 515, 8505 (2007)
  17. G.G. Untila, T.N. Kost, A.B. Chebotareva. Thin Sol. Films, 518, 1345 (2009)
  18. Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарёва, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.И. Солодуха. ФТП, 39, 1393 (2005). [Semiconductors, 39, 1349 (2005)]
  19. B. Hoex, J. Schmidt, P. Pohl, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. J. Appl. Phys., 104, 044 903 (2008)
  20. J.J.H. Gielis, B. Hoex, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. J. Appl. Phys., 104, 073 701 (2008)
  21. N.M. Terlinden, G. Dingemans, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Appl. Phys. Lett., 96, 112 101 (2010)
  22. G. Dingemans, R. Seguin, P. Engelhart, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Phys. Status Solidi, RRL 4, 10 (2010)
  23. A.R. Chowdhuri, C.G. Takoudis, R.F. Klie, N.D. Browning. Appl. Phys. Lett., 80, 4241 (2002)
  24. J.A. Aboad, D.R. Kerr, E. Bassous. J. Electrochem. Soc.: Solid-State Sci. Technol., 120, 1130 (1973)
  25. R.F. Klie, N.D. Browning, A.R. Chowdhuri, C.G. Takoudis. Appl. Phys. Lett., 83, 1187 (2003)
  26. G. Dingemans, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Electrochem., and Solid-State Lett., 13, H76-H79 (2010)
  27. S.-C. Ha, E. Choi, S.-H. Kim, J.S. Roh. Thin Sol. Films, 476, 252 (2005)
  28. J. Shewchun, J. Dubow, C.W. Wilmsen, R. Singh, D. Burk, J.F. Wager. Appl. Phys., 50, 2832 (1979)
  29. H. Kobayashi, Y. Kogetsu, T. Ishida, Y. Nakato. J. Appl. Phyt., 74, 4756 (1993)
  30. H. Kobayashi, T. Ishida, Y. Nakato, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 69, 1736 (1991)
  31. Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарёва, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.В. Солодуха. ФТП, 42, 406 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.