"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Обнаружение третьего уровня (A+) вакансии ртути в CdxHg1-xTe
Гасан-заде С.Г.1, Стриха М.В.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

В соединениях CdxHg1-xTe обнаружено существование ранее неизвестного мелкого акцепторного состояния (глубина залегания ~1 мэВ), принадлежащего не примеси, а собственному дефекту полупроводникового кристалла. Из анализа экспериментальных данных сделан вывод, что это состояние является третьим уровнем вакансии ртути VHg, возникающим благодаря захвату нейтральным акцептором дополнительной дырки (состояние A+).
  • H.R. Vydyanath. J. Electrochem. Soc., 128, 2609 (1981)
  • В.И. Туринов. ФТП, 38, 1129 (2004)
  • L.Z. Sun, X.S. Chen, Y.L. Sun, X.G. Zhou, Zh.J. Quan, He Duan, Wei Lu. Phys. Rev. B, 73, 195 206 (2006)
  • И.И. Ижнин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю Г. Сидоров, В.С. Варавин, М. Поцяск, К.Д. Мынбаев. Письма ЖТФ, 34 (22), 64 (2008)
  • В.В. Богобоящий ФТП, 35, 34 (2001)
  • С.М. Городецкий, Н.С. Жданович, Ю.И. Равич. ФТП, 7, 1270 (1973)
  • С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский. ФТП, 42, 431 (2008)
  • M. Strikha, F. Vasko. Phys. Status Solidi B, 181, 447 (1994)
  • М. Ланно, Ж. Бургуен. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1984)
  • А.С. Давыдов. Квантовая механика (М., Наука, 1963)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.