Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические характеристики структур n-GaAs--анодная пленка Ga₂O₃--металл

Калыгина В.М.¹, Валиев К.И.¹, Зарубин А.Н.¹, Петрова Ю.С.¹, Толбанов О.П.¹, Тяжев А.В.¹, Яскевич Т.М.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 января 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние кислородной плазмы и термического отжига при 900^oC на вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур n-GaAs-анодный окисел-металл. В отличие от структур без отжига высокотемпературный отжиг в аргоне в течение 30 мин приводит к появлению зависимости емкости (C) и проводимости (G) от напряжения. Воздействие кислородной плазмы на пленку оксида галлия перед отжигом способствует дополнительному изменению вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик.

X. Li, C. Xia, X. He, G.Pei, J. Zhang, J. Zu. Chinese Optics Lett., 6 (4), 282 (2008)
J. Hao, Z. Lou, I. Renaud, M. Cocivera. Thin Sol. Films, 467, 182 (2004)
P. Wellenius, A. Suresh, J.F. Foreman, H.O. Everitt, J.F. Muth. Mater. Sci. Engin. B, 146, 252 (2008)
T. Miyata, T. Nakatani, T. Minami. Superficies y Vacio, 9, 70 (1999)
M. Passlack, E.F. Shubert, W.S. Hobson, M. Hong, N. Moriya, S.N.G. Chu, K. Konstadinidis, J.P. Mannaerts, M.L. Schnoes, G.J. Zydzik. J. Appl. Phys., 7, 666 (1995)
M. Ogita, K. Kobayashi, Y. Yamada, Y. Nakanashi, Y. Hatanaka. Indust. Elect. Soc., 1, 137 (2001)
M. Fleisher, L. Hollbauer, E. Born, H. Meixner. I. Am. Cerain. Soc., 80 (8), 2121 (1997)
J.G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie. Chin. Phys. Lett., 25 (10), 3787 (2008)
В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 46, 1130 (2012)
C.-T. Lee, H.-W. Chen, F.-T. Hwang, H.-Y. Lee. J. Electron. Mater., 34, 282 (2005)
S.A. Lee, W.J. Lee, S.Y. Jeong. J. Korean Phys. Soc., 47, S292 (2005)
В.И. Гаман, Н.Н. Иванова, В.М. Калыгина, Е.Б. Судакова. Изв. вузов. Физика, N 11, 99 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель