Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об импедансной спектроскопии структур с потенциальным барьером

Брус В.В.¹

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 11 января 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен детальный анализ спектральных зависимостей действительной и мнимой компонент измеренного импеданса смоделированного кремниевого p-n-перехода в рамках общепринятой эквивалентной схемы (параллельная R_dC_b цепочка и последовательное сопротивление R_s). Предложен простой способ определения истинного значения барьерной емкости структур с потенциальным барьером (при отсутствии поверхностных электрически активных состояний) на основе анализа спектральной зависимости мнимой части измеренного импеданса.

[ Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 113 (2000)
S.M. Sze, K.N. Kwok. Physics of semiconductor devices (N. J., Wiley, 2007)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975) [Пер. с англ.: A.G. Milnes, D.L. Feucht, Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions (Academic Press, 1972)]
S.R. Vishwakarma, Rahmatullah, H.C. Prasad. Sol. St. Electron., 36, 1345 (1992)
V.M. Nikale, S.S. Shinde, A.R. Bardar, C.H. Bhosale, K.Y. Rajpure. Solar Energy, 85, 1336 (2011)
H. Bayhan, A.S. Kavasoglu. Solar Energy, 80, 1160 (2011)
I.S. Yahia, M. Fadel, G.B. Sakr, S.S. Shenouda, F. Yankuphanoglu, W.A. Farooq. Acta Phys. Polon. A, 120, 563 (2011)
A. Donmez, H. Bayhan. ФТП, 46, 262 (2012)
Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 17, 1068 (1983)
Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1472 (1984)
О.В. Константинов, О.А. Мезрин. ФТП, 17, 305 (1983)
A.S. Kovasoglu, N. Kovasoglu, S. Oktik. Sol. St. Electron., 52, 990 (2008)
P. Chttopadhyay, D.P. Haldar. Appl. Surf. Sci., 171, 207 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель