Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95As5, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF3, в сильных электрических полях
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
Исследованием вольт-амперных характеристик структуры Al-Se95As5<EuF3>-Te установлено, что токопрохождение в нем при приложении к Te положительного потенциала осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственным зарядом, а при обратной полярности наблюдается вольт-амперная характеристика N-типа. Показано, что при напряженностях приложенного электрического поля, превышающих 105 В/см, в механизме токопрохождения в исследованных структурах преобладающую роль играют процессы термополевой ионизации нейтральных и отрицательно заряженных U--центров, а также процессы рекомбинации электронов и дырок, и захват носителей заряда на U--центры. Определены энергетическое положение и концентрация локальных состояний, соответствующих указанным центрам и характеризующих влияние электрического поля-длина активации. Установлено, что примеси EuF3 в основном влияют на концентрацию локальных состояний.
- А.В. Васильев, Г.Г. Девятых, Е.М. Дианов. Квант. электрон., 20 (2), 109 (1993)
- G.G. Devyatyth, M.F. Churbanov, I.V. Scripachev. J. Optoelectron., 7 (2), 237 (1992)
- V.S. Shiryaev, J.L. Adam, X.H. Zhang. J. Non.-Cryst. Sol., 336, 113 (2004)
- K. Wei, D.P. Machewirth, J. Wenzel. J. Non.-Cryst. Sol., 182, 257 (1995)
- A.R. Hilton. Proc. SPIE. Infr. Fiber Optics III. 1591, 34 (1992)
- К.Д. Цендин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996)
- D. Adler, M.S. Shur, M. Silver, S.R. Ovshinsky. J. Appl. Phys., 51, 3289 (1980)
- D. Ielmini. Phys. Rev. B, 78, 035 308 (2008)
- Э.Н. Воронков, С.А. Козюхин. ФТП, 43, 953 (2009)
- Н.А. Богословский, К.Д. Цендин. ФТП, 43, 1378 (2009)
- Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43, 1383 (2009)
- Н.Ф. Мотт, Э.А. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.Б. Захарова, И.И. Ятлинко. ФТП, 27, 959 (1993)
- L.P. Kazakova, E.A. Lebedev, N.B. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
- A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, N.A. Jalilov, R.I. Alekperov, V.Z. Zeynalov. J. Optoelectron. and Adv. Materials-RC, 1ISS, 8, 368 (2007)
- А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, Р.И. Алекперов, В.З. Зейналов. Transactions (Series of Physical-Mathematical and Technical Sciences, Physics and Astronomy) XXX (2), 121 (2010)
- P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- E. Voronkov, J. Non-Cryst. Sol., 353, 2591 (2007)
- В.Н. Абакумов, В. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 22, 262 (1988)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
- J.M. Marshall, G.R. Miller. Phil. Mag., 27, 1151 (1973)
- A.I. Popov. Semicond. Semimet., 78, 51 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
