Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 9 » Статья стр. 1186
<<<>>>
Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом
Криштопенко С.С.1, Калинин К.П.1, Гавриленко В.И.1, Садофьев Ю.Г.2, Goiran M.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses (LNCMI-T), CNRS UPR Universite de Toulouse, Toulouse, France
Поступила в редакцию: 15 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
PDF версия
C использованием 8-зонного k· p гамильтониана исследовано обменное усиление g-фактора квазичастиц в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом со спиновым расщеплением Рашбы. Показано, что в слабых магнитных полях учет спинового расщепления Рашбы приводит к значительному увеличению амплитуды осцилляций g-фактора квазичастиц, перенормированного обменным взаимодействием. Из анализа осцилляций Шубникова-де Гааза при температуре 250 мK определена величина расщепления Рашбы и g-фактора квазичастиц. Полученные экспериментальные значения находятся в хорошем согласии с теоретическими расчетами, выполненными с учетом асимметричного "встроенного" электрического поля в гетероструктурах InAs/AlSb.
  1. T.P. Smith, B.B. Goldberg, P.J. Stiles, M. Heiblum. Phys. Rev. B, 32, 2696 (1985)
  2. E.E. Mendez, L. Esaki, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 33, 2893 (1986)
  3. E.E. Mendez, H. Ohno, L. Esaki, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 43, 5196 (1991)
  4. E.E. Mendez, J. Nocera, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 47, 13 937 (1993)
  5. H.B. Chan, P.I. Glicofridis, R.C. Ashoori, M.R. Melloch. Phys. Rev. Lett., 79, 2867 (1997)
  6. O.E. Dial, R.C. Ashoori, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Nature (London), 448, 176 (2007)
  7. E. Gornik, R. Lassnig, G. Strasser, H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Phys. Rev. Lett., 54, 1820 (1985)
  8. J.K. Wang, J.H. Campbell, D.C. Tsui, A.Y. Cho. Phys. Rev. B, 38, 6174 (1988)
  9. J.K. Wang, D.C. Tsui, M. Santos, M. Shayegan. Phys. Rev. B, 45, 4384 (1992)
  10. J.F. Janak. Phys. Rev., 178, 1416 (1969)
  11. T. Ando, Y. Uemura. J. Phys. Soc. Jpn., 37, 1044 (1974)
  12. W. Xu, P. Vasilopoulos, M.P. Das, F.M. Peeters. J. Phys.: Condens. Matter, 7, 4419 (1995)
  13. J.H. Oh, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 54, 4948 (1996)
  14. C.H. Yang, W. Xu. J. Appl. Phys., 103, 013 707 (2008)
  15. R.B. Laughlin. Phys. Rev. Lett., 50, 1395 (1983)
  16. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, Ю.Г. Садофьев, J.P. Bird, S.R. Johnson. Y.-H. Zhang. ФТП, 39, 71 (2005)
  17. A.V. Ikonnikov, S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, Yu.G. Sadofyev, Yu.B. Vasilyev, M. Orlita, W. Knap. J. Low Temp. Phys., 159, 197 (2010)
  18. В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, А.А. Ластовкин, К.В. Маремьянин, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 44, 642 (2010)
  19. В.И. Гавриленко, С.С. Криштопенко, M. Goiran. ФТП, 45, 111 (2011)
  20. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 42, 846 (2008)
  21. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 385 601 (2011)
  22. V.N. Zverev, M. Muhammad, S. Rahman, P. Debray, M. Saglam, J. Sigmund, H.L. Hartnagel. J. Appl. Phys., 96, 6353 (2004)
  23. M. Nishioka, B.A. Gurney, E.E. Marinero, F. Mireles. Appl. Phys. Lett., 95, 242 108 (2009)
  24. S. Sasa, K. Agjiki, T. Yamaguchi, M. Inoue. Physica B, 272, 149 (1999)
  25. J.P. Heida, B.J. van Wees, J.J. Kuipers, T.M. Klapwijk, G. Borghs. Phys. Rev. B, 57, 11 911 (1998)
  26. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Д.М. Гапонова, А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, Ю.Г. Садофьев, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. ФТП, 39, 30 (2005)
  27. Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  28. A.M. Gilbertson, W.R. Branford, M. Fearn, L. Buckle, P.D. Buckle, T. Ashley, L.F. Cohen. Phys. Rev. B, 79, 235 333 (2009)
  29. T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
  30. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) [English version: G.L. Bir, G.E. Pikus. Simmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, N. Y., 1974)]
  31. E.O. Kane. Proc. Narrow Gap Semiconductors. Physics and Applications (Nimes, 1979), ed. by W. Zawadzki (Springer-Verlag, N.Y., 1980)
  32. I. Semenikhin, A. Zakharova, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 77, 113 307 (2008)
  33. P. Pfeffer, W. Zawadzki. Phys. Rev. B, 59, R5312 (1999)
  34. Y. Murayama, T. Ando. Phys. Rev. B, 35, 2252 (1987)
  35. S. Bonifacie, C. Chaubet, B. Jouault, A. Raymond. Phys. Rev. B, 74, 245 303 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme