Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As₂Se₃:Bi, полученных двумя различными методами

Алмасов Н.Ж.¹, Приходько О.Ю.¹, Цэндин К.Д.²

¹Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алмаата, Казахстан
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 марта 2012 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что в пленках As₂Se₃:Bi_x, полученных методом термического напыления, осуществляется примесная проводимость p-типа, а в таких же пленках, полученных ионно-плазменным сораспылением в вакууме, осуществляется примесная проводимость n-типа. На основе этого предложен новый метод получения p-n-гомопереходов в пленочных структурах из халькогенидных стеклообразных полупроводников, легированных висмутом различными методами.

В.Л. Аверьянов, Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, О.Ю. Приходько. Письма ЖТФ, 6 (10), 577 (1980)
R.P. Barclay, J.M. Marshal, C. Main. J. Non-Cryst. Sol., 77--78, 1269 (1985)
B.T. Kolomiets, V.T. Averyanov, V.M. Lyubin, O.Yu. Prikhodko. Sol. Energy. Mater., 8 (1), 1 (1982)
А.В. Данилов, Р.Л. Мюллер. ЖПХ, 35 (9), 2012 (1962)
M.I. Frazer, A.E. Owen. J. Non-Cryst. Sol., 59--60, 1031 (1983)
Н.П. Калмыкова, Т.Ф. Мазец, Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэндин. ФТП, 23 (2), 297 (1989)
В.Л. Аверьянов, Т.К. Звонарева, В.М. Любин, Н.В. Норцева, Б.В. Павлов, Ш.Ш. Сарсембинов, К.Д. Цэндин. ФТП, 22 (11), 2093 (1988)
З.У. Борисова. Халькогенидные полупроводниковые стекла (Л., 1983)
N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)
Т.Ф. Мазец, К.Д. Цэндин. ФТП, 24 (11), 1953 (1990)
M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 28 (7), 355 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель