Исследованы спектры лазерной генерации и ватт-амперные характеристики в широком диапазоне накачки лазеров на основе InAs/InGaAs квантовых точек, модулированно легированных примесью p-типа. Показано, что p-легирование приводит к существенному увеличению порога генерации на возбужденном оптическом переходе и позволяет получить большую мощность на основном переходе по сравнению с "нелегированными" лазерами. Предложено объяснение особенностей двухуровневой генерации в лазерах на квантовых точках.
O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 80 (18), 3277 (2002)
S. Fathpour, Z. Mi, P. Bhattacharya, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, N.N. Ledentsov. Appl. Phys. Lett., 85 (22), 5164 (2004)
S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20 (5), 340 (2005)
M. Ishida, N. Hatori, K. Otsubo, T. Yamamoto, Y. Nakata, H. Ebe, M. Sugawara, Y. Arakawa. Electron. Lett., 43 (4), 219 (2007)
D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem, A. Ramdane, J.-G. Provost, M. Fischer, I. Krestnikov, A. Kovch. Appl. Phys. Lett., 92(19), 191 109 (2008)
A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 18 (8), 774 (2003)
A. Markus, J.X. Chen, O. Gauthier-Lafaye, J.-G. Provost, C. Paranthoen, A. Fiore. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 9 (5), 1308 (2003)
А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, А.В. Савельев, Ф.И. Зубов, В.В. Клименко. ФТП, 46 (2), 241 (2012)
M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 661 (2000)
M. Sugawara, K. Mukai, H. Shoji. Appl. Phys. Lett., 71 (19) 2791 (1997)
E.A. Viktorov, P. Mandel, Y. Tanguy, J. Houlihan, G. Huyet. Appl. Phys. Lett., 87 (5), 053 113 (2005)
L.V. Asryan, R.A. Suris, Semicond. Sci. Technol., 11 (4), 554 (1996)