"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
Андреев Б.А.1, Красильник З.Ф.1, Крыжков Д.И.1, Кузнецов В.П.1, Яблонский А.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Исследованы зависимости интенсивности фотолюминесценции иона эрбия в структурах Si : Er/Si в случае однородного (по поверхности образца) и неоднородного оптического возбуждения. Показано, что способ возбуждения существенно влияет на вид получаемых зависимостей. Обсуждается способ определения сечения возбуждения иона Er как при непрерывной, так и при импульсной оптической накачке. Полученное значение эффективного сечения возбуждения ионов эрбия в кремнии sigma = 5·10-14 см2 (при температуре 8 K) на порядок превышает значения, известные из литературы.
  • O.B. Gusev, M.S. Bresler, P.E. Pak, I.N. Yassievich, M. Forcales, N.Q. Vinh, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B, 64, 075 302 (2001)
  • М.С. Бреслер. О.Б. Гусев, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 43, 601 (2001)
  • П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  • W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikhova, H. Preier. J. Luminesc., 80, 9 (1999)
  • J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L.C. Kimmerling. Phys. Rev. B, 54, 17 603 (1996)
  • N.Q. Vinh, S. Minissale, H. Vrielinck, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B. 76, 085339 (2007)
  • O.B. Gusev, M.S. Brestler, P.E. Pak, I.N. Yassievich, M. Forcales, N.Q. Vinh, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B, 64, 075 302 (2001)
  • N.Q. Vinh, N.N. Ha, T. Gregorkiewicz. Proc. IEEE, 97 (7), 1269 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.