Исследуется эффект продольной внутризонной фотопроводимости в нелегированных гетероструктурах InAs/GaAs с квантовыми точками. Для заселения уровней квантовых точек носителями заряда используется оптическое межзонное возбуждение разной мощности и с разной длиной волны. В отсутствие межзонной подсветки фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне не наблюдается. В то же время дополнительная подсветка структур излучением видимого или ближнего инфракрасного диапазона приводит к возникновению значительного сигнала фотопроводимости в среднем инфракрасном диапазоне (3-5 мкм), связанного с внутризонными переходами в квантовых точках. Сигнал наблюдается до температуры ~200 K. Использование оптической межзонной накачки позволяет увеличить сигнал внутризонной фотопроводимости по сравнению с аналогичными структурами, в которых для создания носителей на уровнях квантовых точек использовано легирование.
P. Vines, C.H. Tan, J.P.R. David, R.S. Attaluri, T.E. Vandervelde, S. Krishna. Proc. SPIE, 7113, 71130J (2008)
L. Chu, A. Zrenner, G. Bohm, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 76, 1944 (2000)
D. Pal, E. Towe. J. Vac. Sci. Technol, 23, 1132 (2005)
L. Fu, Q. Li, P. Kuffner, G. Jolley, P. Gareso, H.H. Tan, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 93, 013 504 (2008)
M. Olszakier, E. Ehrenfreund, E. Cohen, J. Bajaj, G.J. Sullivan. Phys. Rev. Lett., 6, 2997 (1989)
D. Delacourt, D. Papillon, J.P. Pocholle, J.P. Schnell, M. Papuchon. Electron. Lett., 26 (5), 277 (1990)
V. Berger, E. Rosencher, N. Vodjdani, E. Costard. Appl. Phys. Lett., 62, 378 (1993)
S. Sauvage, P. Boucaud, F.H. Julien, J.-M. Gerard, J.-Y. Marzin. J. Appl. Phys., 82 (7), 3396 (1997)
S. Sauvage, P. Boucaud, J.-M. Gerard, V. Thierry-Mieg. J. Appl. Phys., 84 (8), 4356 (1998)
P. Martyniuk, A. Rogalski. Bull. Polish Acad. Sci. Technical Sci., 57 (1), 103 (2009)
Л.Д. Молдавская, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.И. Шашкин. ФТП, 42 (1), 101 (2008)