"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
Хазанова С.В.1, Байдусь Н.В.2, Звонков Б.Н.2, Павлов Д.А.1, Малехонова Н.В.1, Дегтярев В.Е.1, Смотрин Д.С.1, Бобров И.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Предложен комплексный подход к анализу гетероструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами InGaAs/GaAs, использующий как экспериментальные, так и теоретические методы исследования. Методом просвечивающей электронной микроскопии совместно с методикой энергодисперсионной рентгеновской спектрометрии было определено распределение состава твердого раствора InGaAs. Экспериментально измерены спектры фотолюминесценции и фотопроводимости для данных структур. С целью более детальной интерпретации результатов проведено компьютерное моделирование эпитаксиального роста. Путем совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитаны энергетические состояния в квантово-размерной гетероструктуре исходного и реального профилей состава. Проведено сравнение результатов расчета и данных о межзонных оптических переходах, полученных из анализа спектральных зависимостей фотолюминесценции и фотопроводимости. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических результатов. Данный подход позволяет уточнить истинную геометрию структуры, сопоставить результаты спектров и реального профиля структуры, скорректировать параметры структуры и роста для улучшения оптических характеристик.
  • Н.В. Байдусь, П.А. Белевский, А.А. Бирюков, В.В. Вайнберг, М.Н. Винославский, А.В. Иконников, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин. ФТП, 44 (11), 1543 (2010)
  • Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kosinovsky. J. Appl. Phys., 77 (4), 1337 (1995)
  • M. Schowalter, A. Rosenauer, D. Gerthsen. Appl. Phys. Lett., 88, 111 906 (2006)
  • Ю.Н. Дроздов, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, М.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 37, 203 (2003)
  • User's Guide: Precision Ion Polishing System (Gatan inc., revision 3, 11. 1998)
  • S.J. Pennycook. Ultramicroscopy, 30, 58 (1989)
  • N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux. Phys. Rev. B, 53, 998 (1996)
  • S.V. Khazanova, M.I. Vasilevskiy. Semicond. Sci. Technol., 25, 085 008 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.